Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 55 A, TDSON, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号 754-5301
- 制造商零件编号 BSC123N08NS3GATMA1
- 制造商 Infineon
产品技术参数资料
产品详细信息
Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80V
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET，用于 SMPS
优化技术，用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道，逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM)
极低导通电阻 R DS(on)
无铅电镀
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 55 A |
| 最大漏源电压 | 80 V |
| 封装类型 | TDSON |
| 系列 | OptiMOS 3 |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 24 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 66 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 19 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
| 宽度 | 6.1mm |
| 长度 | 5.35mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
35 现货库存，可于5工作日发货。
单价（不含税） /个 (每包:5个)
RMB
9.808
(不含税)
RMB
11.083
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
5 - 1245
RMB9.808
RMB49.04
1250 - 2495
RMB9.602
RMB48.01
2500 +
RMB9.316
RMB46.58
* 参考价格
包装方式：
