英飞凌 P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 3 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, IRLML5203TRPBF
- RS 库存编号 784-0325
- 制造商零件编号 IRLML5203TRPBF
- 制造商 英飞凌
产品详细信息
P 通道功率 MOSFET 30V，Infineon
Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 3 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 系列 | HEXFET |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 165 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V |
| 最小栅阈值电压 | 1V |
| 最大功率耗散 | 1.25 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 3.04mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 9.5 nC @ 10 V |
| 晶体管材料 | Si |
| 宽度 | 1.4mm |
280 现货库存，2024-05-06 发货。
230 海外库存，在5工作日内到达本地仓库并发货
单价（不含税） /个 (每包:10个)
RMB
2.707
(不含税)
RMB
3.059
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
10 - 10
RMB2.707
RMB27.07
20 - 40
RMB2.659
RMB26.59
50 - 90
RMB2.592
RMB25.92
100 - 190
RMB2.529
RMB25.29
200 +
RMB2.465
RMB24.65
* 参考价格
包装方式：
