Toshiba N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 7 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, TK7P60W,RVQ(S
- RS 库存编号 799-5214
- 制造商零件编号 TK7P60W,RVQ(S
- 制造商 Toshiba
产品技术参数资料
产品详细信息
MOSFET N 通道，TK 6 和 TK 7系列，Toshiba
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Toshiba
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 7 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 系列 | U-MOSVIII-H |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 600 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.7V |
| 最大功率耗散 | 60 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 晶体管材料 | Si |
| 宽度 | 7.18mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15 nC @ 10 V |
| 长度 | 6.6mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
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单价（不含税） /个 (每包:5个)
RMB
6.426
(不含税)
RMB
7.261
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
5 - 495
RMB6.426
RMB32.13
500 - 995
RMB6.17
RMB30.85
1000 +
RMB5.914
RMB29.57
* 参考价格
