德州仪器 N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 134 A, VSONP, 贴片安装, 8引脚, CSD18531Q5A
- RS 库存编号 827-4886P
- 制造商零件编号 CSD18531Q5A
- 制造商 Texas Instruments
产品技术参数资料
产品详细信息
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Texas Instruments
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 134 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 系列 | NexFET |
| 封装类型 | VSONP |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 5.8 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.3V |
| 最小栅阈值电压 | 1.5V |
| 最大功率耗散 | 3.1 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 宽度 | 5mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 18 nC @ 4.5 V |
| 长度 | 5.8mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
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