东芝 N沟道增强型MOS管, Vds=120 V, 72 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, TK72E12N1,S1X(S
- RS 库存编号 827-6277P
- 制造商零件编号 TK72E12N1,S1X(S
- 制造商 Toshiba
产品详细信息
MOSFET N 通道，TK 6 和 TK 7系列，Toshiba
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Toshiba
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 72 A |
| 最大漏源电压 | 120 V |
| 封装类型 | TO-220 |
| 系列 | TK |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 4.4 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最大功率耗散 | 225 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 长度 | 10.16mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型栅极电荷@Vgs | 130 nC @ 10 V |
| 宽度 | 4.45mm |
当前暂无库存，可于2024-10-04发货，5 工作日送达。
单价（不含税） 个 (以每管装提供)
RMB
19.982
(不含税)
RMB
22.58
(含税)
单位
Per unit
25 - 45
RMB19.982
50 - 120
RMB19.482
125 - 245
RMB18.992
250 +
RMB18.52
包装方式：
