英飞凌 N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 100 A, TDSON, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号 906-4359
- 制造商零件编号 BSC070N10NS3GATMA1
- 制造商 英飞凌
产品技术参数资料
产品详细信息
Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 100 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 系列 | OptiMOS 3 |
| 封装类型 | TDSON |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 8.6 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大功率耗散 | 156 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 63 nC @ 10 V |
| 晶体管材料 | Si |
| 宽度 | 5.35mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 6.1mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
8500 现货库存，可于5工作日发货。
单价（不含税） /个 (每包:10个)
RMB
9.155
(不含税)
RMB
10.345
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
10 - 1240
RMB9.155
RMB91.55
1250 - 2490
RMB8.881
RMB88.81
2500 +
RMB8.613
RMB86.13
* 参考价格
包装方式：
