英飞凌 N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 57 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, IRFP3710PBF
- RS 库存编号 919-4918
- 制造商零件编号 IRFP3710PBF
- 制造商 英飞凌
产品技术参数资料
产品详细信息
N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon
Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 57 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 系列 | HEXFET |
| 封装类型 | TO-247AC |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 25 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 200 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 长度 | 15.9mm |
| 宽度 | 5.3mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 190 nC @ 10 V |
| 晶体管材料 | Si |
3650 现货库存，可于5工作日发货。
单价（不含税） 毎管：25 个
RMB
16.074
(不含税)
RMB
18.164
(含税)
单位
Per unit
Per Tube*
25 - 25
RMB16.074
RMB401.85
50 - 75
RMB15.592
RMB389.80
100 +
RMB15.125
RMB378.125
* 参考价格
