描述 | 价格 | 最大连续集电极电流 | 最大集电极-发射极电压 | 最大栅极发射极电压 | 晶体管数 | 最大功率耗散 | 封装类型 | 配置 | 安装类型 | 通道类型 | 引脚数目 | 开关速度 | 晶体管配置 | 尺寸 | |
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RS 库存编号
687-4964
制造商零件编号SKM150GB12T4
品牌Semikron
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RMB789.50
个
单位
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232 A | 1200 V | ±20V | - | - | SEMITRANS2 | 双半桥 | 面板 | N | 7 | - | 串行 | 94 x 34 x 30.1mm |
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RS 库存编号
808-0271
制造商零件编号IXYH30N120C3D1
品牌IXYS
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RMB91.52
个
单位
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66 A | 1200 V | ±20V | - | 416 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
110-7449
制造商零件编号IHW30N135R3FKSA1
品牌Infineon
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RMB33.207
/个 (每包:3个)
单位
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30 A | 1350 V | ±20V | - | 349 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
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RS 库存编号
808-0284
制造商零件编号IXYH40N120C3D1
品牌IXYS
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RMB92.79
个
单位
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64 A | 1200 V | ±20V | - | 480 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
168-4779
制造商零件编号IXYH30N120C3D1
品牌IXYS
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RMB74.488
毎管:30 个
单位
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66 A | 1200 V | ±20V | - | 416 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
759-9267
制造商零件编号FGH40N60SFDTU
品牌onsemi
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RMB35.22
个
单位
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80 A | 600 V | ±20V | - | 290 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 15.6 x 4.7 x 20.6mm |
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RS 库存编号
145-9239
制造商零件编号IKW15N120H3FKSA1
品牌Infineon
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RMB30.281
毎管:30 个
单位
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30 A | 1200 V | ±20V | - | 217 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.03 x 5.16 x 21.1mm |
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RS 库存编号
171-1412
制造商零件编号HYG15P120A1K1
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RMB287.636
个 (以毎盒:18)
单位
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20 A | 1200 V | ±20V | - | 156 W | - | 3 相桥接 | 通孔 | N | 22 | - | 3 相 | 62.8 x 34 x 12mm |
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RS 库存编号
671-5408
制造商零件编号FGL40N120ANDTU
品牌onsemi
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RMB87.74
个
单位
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64 A | 1200 V | ±25V | - | - | TO-264 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 20 x 5 x 26mm |
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RS 库存编号
838-6860
制造商零件编号FS75R12KT4B15BOSA1
品牌Infineon
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RMB938.81
个
单位
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75 A | 1200 V | ±20V | - | 385 W | ECONO2 | 3 相桥接 | PCB | N | 28 | 1MHz | 3 相 | 107.5 x 45 x 17mm |
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RS 库存编号
166-0979
制造商零件编号IHW30N135R3FKSA1
品牌Infineon
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RMB27.77
毎管:30 个
单位
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30 A | 1350 V | ±20V | - | 349 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
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RS 库存编号
761-3754
制造商零件编号FF200R12KT4HOSA1
品牌Infineon
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RMB887.70
个
单位
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320 A | 1200 V | ±20V | - | 1100 W | 62MM 模块 | 串行 | 面板 | N | 3 | - | 串行 | 106.4 x 61.4 x 30.9mm |
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RS 库存编号
168-4762
制造商零件编号IXYN100N120C3H1
品牌IXYS
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RMB343.915
毎管:10 个
单位
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134 A | 1200 V | ±20V | - | 690 W | SOT-227B | - | 贴片 | N | 4 | 20 → 50kHz | 单 | 38.2 x 25 x 9.6mm |
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RS 库存编号
808-0275
制造商零件编号IXYH40N120C3
品牌IXYS
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RMB72.58
个
单位
|
70 A | 1200 V | ±20V | - | 577 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
804-7619
制造商零件编号IXYN100N120C3H1
品牌IXYS
|
RMB371.75
个
单位
|
134 A | 1200 V | ±20V | - | 690 W | SOT-227B | - | 贴片 | N | 4 | 20 → 50kHz | 单 | 38.2 x 25 x 9.6mm |
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RS 库存编号
166-0898
制造商零件编号FF200R12KS4HOSA1
品牌Infineon
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RMB1,076.323
Each (In a Tray of 10)
单位
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275 A | 1200 V | ±20V | - | 1400 W | AG-62MM-1 | 串行 | 面板 | N | - | - | 串行 | 106.4 x 61.4 x 30.5mm |
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RS 库存编号
804-7622
制造商零件编号IXYN82N120C3H1
品牌IXYS
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RMB350.37
个
单位
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105 A | 1200 V | ±20V | - | 500 W | SOT-227B | - | 贴片 | N | 4 | 20 → 50kHz | 单 | 38.2 x 25 x 9.6mm |
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RS 库存编号
124-9046
制造商零件编号FF200R12KT4HOSA1
品牌Infineon
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RMB874.308
个 (以毎盒:10)
单位
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320 A | 1200 V | ±20V | - | 1100 W | 62MM 模块 | 串行 | 面板 | N | 3 | - | 串行 | 106.4 x 61.4 x 30.9mm |
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RS 库存编号
920-1000
制造商零件编号IXYX120N120C3
品牌IXYS
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RMB197.608
毎管:30 个
单位
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240 A | 1200 V | ±20V | - | 1500 W | PLUS247 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.34mm |
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RS 库存编号
168-4780
制造商零件编号IXYH40N120C3
品牌IXYS
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RMB62.186
毎管:30 个
单位
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70 A | 1200 V | ±20V | - | 577 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。
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