IGBT

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描述 价格 最大连续集电极电流 最大集电极-发射极电压 最大栅极发射极电压 晶体管数 最大功率耗散 封装类型 配置 安装类型 通道类型 引脚数目 开关速度 晶体管配置 尺寸
RS 库存编号 686-8388
制造商零件编号STGP6NC60HD
RMB9.576
/个 (每包:5个)
单位
15 A 600 V ±20V - - TO-220 - 通孔 N 3 - 10.4 x 4.6 x 9.15mm
RS 库存编号 791-7416
制造商零件编号IXGH48N60B3
品牌IXYS
RMB86.695
/个 (每包:2个)
单位
280 A 600 V ±20V - 300 W TO-247 - 通孔 N 3 40kHz 16.26 x 5.3 x 21.46mm
RS 库存编号 671-5433
制造商零件编号HGTG20N60A4D
RMB24.74
单位
70 A 600 V ±20V - - TO-247 - 通孔 N 3 - 15.87 x 4.82 x 20.82mm
RS 库存编号 168-7763
制造商零件编号GT15J341
品牌Toshiba
RMB16.647
毎管:50 个
单位
15 A 600 V ±25V - 30 W TO-220SIS - 通孔 N 3 100kHz 10 x 4.5 x 15mm
RS 库存编号 920-1016
制造商零件编号IXYH82N120C3
品牌IXYS
RMB107.525
毎管:30 个
单位
200 A 1200 V ±20V - 1250 W TO-247 - 通孔 N 3 50kHz 16.26 x 5.3 x 21.46mm
RS 库存编号 124-9045
制造商零件编号FF450R12KT4HOSA1
品牌Infineon
RMB1,468.892
个 (以毎盒:10)
单位
580 A 1200 V ±20V - 2.4 kW 62MM 模块 串行 面板 N 3 - 串行 106.4 x 61.4 x 30.9mm
RS 库存编号 686-8354
制造商零件编号STGW20NC60VD
RMB19.94
单位
60 A 600 V ±20V - - TO-247 - 通孔 N 3 - 15.75 x 5.15 x 20.15mm
RS 库存编号 168-4435
制造商零件编号IXGH40N120B2D1
品牌IXYS
RMB114.98
毎管:30 个
单位
75 A 1200 V ±20V - - TO-247 - 通孔 N 3 - 16.26 x 5.3 x 21.46mm
RS 库存编号 170-8679
制造商零件编号STGIF10CH60TS-L
RMB91.938
毎管:13 个
单位
15 A 600 V - - 33 W SDIP2F 阵列 通孔 N 26 - 3 相 38 x 24 x 3.5mm
RS 库存编号 166-0895
制造商零件编号FP75R12KE3BOSA1
品牌Infineon
RMB1,362.80
Each (In a Tray of 10)
单位
105 A 1200 V ±20V - 355 W AG-ECONO3-3 3 相桥接 面板 N - - 3 相 122 x 62 x 17mm
RS 库存编号 796-5046
制造商零件编号GT15J341
品牌Toshiba
RMB14.97
/个 (每包:5个)
单位
15 A 600 V ±25V - 30 W TO-220SIS - 通孔 N 3 100kHz 10 x 4.5 x 15mm
RS 库存编号 145-9167
制造商零件编号IGW15N120H3FKSA1
品牌Infineon
RMB23.803
毎管:30 个
单位
15 A 1200 V ±20V - 217 W TO-247 - 通孔 N 3 - 16.13 x 5.21 x 21.1mm
RS 库存编号 192-988
制造商零件编号IXGH40N120B2D1
品牌IXYS
RMB134.06
单位
75 A 1200 V ±20V - - TO-247 - 通孔 N 3 - 16.26 x 5.3 x 21.46mm
RS 库存编号 165-8040
制造商零件编号STGD5H60DF
RMB4.35
个 (在毎卷:2500)
单位
10 A 600 V ±20V - 83 W DPAK (TO-252) - 贴片 N 3 - 6.6 x 6.2 x 2.4mm
RS 库存编号 761-3751
制造商零件编号FF450R12KT4HOSA1
品牌Infineon
RMB1,468.83
单位
580 A 1200 V ±20V - 2.4 kW 62MM 模块 串行 面板 N 3 - 串行 106.4 x 61.4 x 30.9mm
RS 库存编号 838-6882
制造商零件编号FP40R12KT3GBOSA1
品牌Infineon
RMB976.89
单位
55 A 1200 V ±20V - 210 W ECONO3 3 相桥接 PCB N 35 1MHz 3 相 122 x 62 x 17mm
RS 库存编号 145-9510
制造商零件编号FP40R12KT3GBOSA1
品牌Infineon
RMB962.138
Each (In a Tray of 10)
单位
55 A 1200 V ±20V - 210 W ECONO3 3 相桥接 PCB N 35 1MHz 3 相 122 x 62 x 17mm
RS 库存编号 838-6955
制造商零件编号FP20R06W1E3B11BOMA1
品牌Infineon
RMB287.76
单位
29 A 600 V ±20V - 94 W EASY1B 共集电极 PCB N 22 1MHz 3 相 48 x 33.8 x 12mm
RS 库存编号 145-8596
制造商零件编号IKP15N60TXKSA1
品牌Infineon
RMB12.679
毎管:50 个
单位
26 A 600 V ±20V - 130 W TO-220 - 通孔 N 3 - 10.36 x 4.57 x 15.95mm
RS 库存编号 686-8360
制造商零件编号STGF7NB60SL
RMB14.22
/个 (每包:2个)
单位
15 A 600 V ±20V - - TO-220FP - 通孔 N 3 - 10.4 x 4.6 x 9.3mm

IGBT

IGBT是什么?

IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT与MOSFET的对比

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。

  • 优点:热稳定性好、安全工作区大。
  • 缺点:击穿电压低,工作电流小。

IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。

  • 特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。

IGBT的典型应用

  • 电动机
  • 不间断电源
  • 太阳能面板安装
  • 电焊机
  • 电源转换器与反相器
  • 电感充电器
  • 电磁炉

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