属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N,P |
最大连续漏极电流 | 1.4 A,1.8 A |
最大漏源电压 | 60 V |
封装类型 | SOIC |
安装类型 | 贴片 |
引脚数目 | 8 |
最大漏源电阻值 | 350 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 3V |
最大功率耗散 | 1.36 W |
晶体管配置 | 全桥 |
最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
每片芯片元件数目 | 4 |
宽度 | 4mm |
最高工作温度 | +150 °C |
晶体管材料 | Si |
长度 | 5mm |
典型栅极电荷@Vgs | 3.2 nC @ 10 V,5.1 nC @ 10 V |