德州仪器

分立半导体

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分立半导体
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描述
产品详情
  • RMB13.474
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德州仪器 N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 134 A, VSONP, 贴片安装, 8引脚, CSD18531Q5A
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流134 A
  • 最大漏源电压60 V
  • 系列NexFET
  • 封装类型VSONP
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB2.802
    个 (在毎卷:3000)
德州仪器 单向ESD保护二极管, 贴片安装, 最小击穿14V, SOT-323 (SC-70)封装, 串行配置, TPD2E007DCKR
  • 方向类型单向
  • 二极管配置串行
  • 最小击穿电压14V
  • 安装类型贴片
  • 封装类型SOT-323 (SC-70)
查看更多类似产品 TVS二极管
  • RMB11.879
    个 (在毎卷:2500)
德州仪器 N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 204 A, VSON-CLIP, 贴片安装, 8引脚, CSD18502Q5B
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流204 A
  • 最大漏源电压40 V
  • 封装类型VSON-CLIP
  • 系列NexFET
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB8.219
    毎管:1800 个
德州仪器 可编程电流源, 最大10mA, 最大40V, TO-92封装, 工作温度 -25 °C至 +100 °C, 3引脚
  • 二极管配置单路
  • 最大调节器电流10mA
  • 每片芯片元件数目1
  • 最大峰值工作电压40V
  • 安装类型通孔
查看更多类似产品 恒流二极管
  • RMB13.785
    个 (在毎卷:250)
德州仪器 N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 157 A, VSON-CLIP, 贴片安装, 8引脚, CSD19502Q5BT
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流157 A
  • 最大漏源电压80 V
  • 封装类型VSON-CLIP
  • 系列NexFET
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB5.267
    个 (在毎卷:2500)
德州仪器 N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 100 A, VSONP, 贴片安装, 8引脚, CSD18563Q5A
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流100 A
  • 最大漏源电压60 V
  • 系列NexFET
  • 封装类型VSONP
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB1.905
    个 (在毎卷:3000)
  • RMB5.569
    个 (在毎卷:250)
德州仪器 P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 104 A, VSON-CLIP, 贴片安装, 8引脚, CSD25404Q3T
  • 通道类型P
  • 最大连续漏极电流104 A
  • 最大漏源电压20 V
  • 系列NexFET
  • 封装类型VSON-CLIP
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB7.60
    毎管:25 个
德州仪器 达林顿管, NPN三极管, 500 mA, PDIP封装, 通孔安装, 16引脚
  • 晶体管类型NPN
  • 最大连续集电极电流500 mA
  • 最大集电极-发射极电压100 V
  • 封装类型PDIP
  • 安装类型通孔
查看更多类似产品 达林顿管
  • RMB0.448
    个 (在毎卷:10000)
  • RMB7.524
    毎管:150 个
德州仪器 TVS二极管, 贴片安装, 最大钳位7V, 最小击穿6.5V, TSSOP封装, 共阳极配置, SN75240PW
  • 二极管配置共阳极
  • 最大钳位电压7V
  • 最小击穿电压6.5V
  • 安装类型贴片
  • 封装类型TSSOP
查看更多类似产品 TVS二极管
  • RMB5.26
    毎管:90 个
德州仪器 达林顿晶体管, NPN三极管, 500 mA, TSSOP封装, 贴片, 16引脚
  • 晶体管类型NPN
  • 最大连续集电极电流500 mA
  • 最大集电极-发射极电压50 V
  • 封装类型TSSOP
  • 安装类型贴片
查看更多类似产品 达林顿管
  • RMB7.621
    个 (在毎卷:2500)
德州仪器 N沟道增强型MOS管, Vds=25 V, 100 A, VSON-CLIP, 贴片安装, 8引脚, CSD16321Q5
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流100 A
  • 最大漏源电压25 V
  • 封装类型VSON-CLIP
  • 系列NexFET
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  • RMB7.25
    毎管:150 个
德州仪器 TVS二极管, 贴片安装, TSSOP封装, 共阳极配置, SN65240PW
  • 二极管配置共阳极
  • 安装类型贴片
  • 封装类型TSSOP
  • 引脚数目8
  • 每片芯片元件数目2
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  • RMB1.681
    个 (在毎卷:3000)
  • RMB2.914
    个 (在毎卷:2500)
德州仪器 N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 73 A, VSONP, 贴片安装, 8引脚, CSD17307Q5A
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流73 A
  • 最大漏源电压30 V
  • 封装类型VSONP
  • 系列NexFET
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB1.681
    个 (在毎卷:4000)
德州仪器 TVS二极管阵列, 贴片安装, SOT-553封装, 复杂阵列配置, TPD4E001DRLR
  • 二极管配置复杂阵列
  • 安装类型贴片
  • 封装类型SOT-553
  • 引脚数目6
  • 每片芯片元件数目4
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  • RMB52.258
    毎管:50 个
德州仪器 单相整流桥, 1A, 50V, 8引脚, PDIP, UC3610N
  • 峰值平均正向电流1A
  • 电桥类型单相
  • 峰值反向重复电压50V
  • 安装类型通孔
  • 封装类型PDIP
查看更多类似产品 整流桥
  • RMB10.397
    毎管:50 个
德州仪器 TVS二极管, 通孔安装, PDIP封装, 共阳极配置, SN65240P
  • 二极管配置共阳极
  • 安装类型通孔
  • 封装类型PDIP
  • 引脚数目8
  • 每片芯片元件数目2
查看更多类似产品 TVS二极管
  • RMB3.625
    个 (在毎卷:250)
德州仪器 N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 3.1 A, PICOSTAR, 贴片安装, 3引脚, CSD17381F4T
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流3.1 A
  • 最大漏源电压30 V
  • 封装类型PICOSTAR
  • 系列FemtoFET
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