描述 | 价格 | 最大连续集电极电流 | 最大集电极-发射极电压 | 最大栅极发射极电压 | 晶体管数 | 最大功率耗散 | 封装类型 | 配置 | 安装类型 | 通道类型 | 引脚数目 | 开关速度 | 晶体管配置 | 尺寸 | |
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RS 库存编号
754-5392
制造商零件编号IGW40T120FKSA1
品牌Infineon
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RMB41.55
个
单位
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75 A | 1200 V | ±20V | - | 270 W | TO-247 | - | 通孔 | - | 3 | - | 单 | 16.13 x 21.1 x 5.21mm |
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RS 库存编号
808-0225
制造商零件编号IXYX100N120C3
品牌IXYS
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RMB161.67
个
单位
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188 A | 1200 V | ±20V | - | 1150 W | PLUS247 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.34mm |
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RS 库存编号
168-4771
制造商零件编号IXYX100N120C3
品牌IXYS
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RMB146.239
毎管:30 个
单位
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188 A | 1200 V | ±20V | - | 1150 W | PLUS247 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.34mm |
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RS 库存编号
168-6463
制造商零件编号STGE200NB60S
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RMB218.743
毎管:10 个
单位
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200 A | 600 V | ±20V | - | - | ISOTOP | - | 面板 | N | 4 | - | 单 | 38.2 x 25.5 x 9.1mm |
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RS 库存编号
165-5304
制造商零件编号STGD5NB120SZT4
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RMB9.082
个 (在毎卷:2500)
单位
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10 A | 1200 V | ±20V | - | 75 W | DPAK (TO-252) | - | 贴片 | N | 3 | - | 单 | 6.6 x 6.2 x 2.4mm |
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RS 库存编号
124-1336
制造商零件编号FGH40N60SMD
品牌onsemi
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RMB25.205
毎管:30 个
单位
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80 A | 600 V | ±20V | - | 349 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 15.6 x 4.7 x 20.6mm |
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RS 库存编号
911-4785
制造商零件编号IGW40T120FKSA1
品牌Infineon
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RMB36.594
毎管:30 个
单位
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75 A | 1200 V | ±20V | - | 270 W | TO-247 | - | 通孔 | - | 3 | - | 单 | 16.13 x 21.1 x 5.21mm |
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RS 库存编号
194-760
制造商零件编号IXGH6N170
品牌IXYS
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RMB82.40
个
单位
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6 A | 1700 V | ±20V | - | - | TO-247AD | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
686-8348
制造商零件编号STGE200NB60S
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RMB237.14
个
单位
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200 A | 600 V | ±20V | - | - | ISOTOP | - | 面板 | N | 4 | - | 单 | 38.2 x 25.5 x 9.1mm |
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RS 库存编号
194-401
制造商零件编号MID145-12A3
品牌IXYS
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RMB632.65
个
单位
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160 A | 1200 V | ±20V | - | - | Y4 M5 | 单 | 面板 | N | 7 | - | 单 | 94 x 34 x 30mm |
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RS 库存编号
125-1115
制造商零件编号SKM400GB125D
品牌Semikron
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RMB5,641.90
个
单位
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400 A | 1200 V | 20V | 2 | - | SEMITRANS3 | 双 | 螺纹 | N | 7 | 12kHz | 半桥 | 106.4 x 61.4 x 30.5mm |
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RS 库存编号
168-4503
制造商零件编号IXGH6N170
品牌IXYS
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RMB76.608
毎管:30 个
单位
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6 A | 1700 V | ±20V | - | - | TO-247AD | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
759-9279
制造商零件编号FGH40N60SMD
品牌onsemi
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RMB30.00
个
单位
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80 A | 600 V | ±20V | - | 349 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 15.6 x 4.7 x 20.6mm |
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RS 库存编号
877-2879
制造商零件编号STGD5NB120SZT4
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RMB13.544
/个 (每包:5个)
单位
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10 A | 1200 V | ±20V | - | 75 W | DPAK (TO-252) | - | 贴片 | N | 3 | - | 单 | 6.6 x 6.2 x 2.4mm |
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RS 库存编号
124-1337
制造商零件编号FGY75N60SMD
品牌onsemi
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RMB60.343
毎管:30 个
单位
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150 A | 600 V | ±20V | - | 750 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 15.87 x 4.82 x 20.32mm |
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RS 库存编号
911-4789
制造商零件编号IKW75N60TFKSA1
品牌Infineon
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RMB52.463
毎管:30 个
单位
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80 A | 600 V | ±20V | - | 428 W | TO-247 | - | 通孔 | - | 3 | - | 单 | 16.03 x 21.1 x 5.16mm |
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RS 库存编号
168-7008
制造商零件编号STGW60V60F
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RMB29.631
毎管:30 个
单位
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60 A | 600 V | ±20V | - | 375 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 1MHz | 单 | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
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RS 库存编号
111-6085
制造商零件编号FF400R12KE3HOSA1
品牌Infineon
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RMB1,498.46
个
单位
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580 A | 1200 V | ±20V | - | 2 kW | AG-62MM-1 | 串行 | 面板 | N | - | - | 串行 | 106.4 x 61.4 x 30.9mm |
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RS 库存编号
807-6660
制造商零件编号HGT1S10N120BNST
品牌onsemi
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RMB18.98
/个 (每包:2个)
单位
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80 A | 1200 V | ±20V | - | 298 W | D2PAK (TO-263) | - | 贴片 | N | 3 | 1MHz | 单 | 10.67 x 11.33 x 4.83mm |
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RS 库存编号
791-7655
制造商零件编号STGW60V60F
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RMB32.944
/个 (每包:5个)
单位
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60 A | 600 V | ±20V | - | 375 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 1MHz | 单 | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。
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