IGBT
1654
筛选条件
| 描述 | 价格 | 最大连续集电极电流 | 最大集电极-发射极电压 | 最大栅极发射极电压 | 晶体管数 | 最大功率耗散 | 封装类型 | 配置 | 安装类型 | 通道类型 | 引脚数目 | 开关速度 | 晶体管配置 | 尺寸 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RS 库存编号
877-2905
制造商零件编号STGW30NC60KD
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RMB47.182
/个 (每包:5个)
单位
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60 A | 600 V | ±20V | - | 200 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 15.75 x 5.15 x 24.45mm |
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RS 库存编号
168-4775
制造商零件编号IXA12IF1200HB
品牌IXYS
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RMB20.11
毎管：30 个
单位
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20 A | 1200 V | ±20V | - | 85 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
146-1766
制造商零件编号IXYH30N120C3
品牌IXYS
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RMB65.801
毎管：30 个
单位
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75 A | 1200 V | ±20V | - | 500 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
168-8881
制造商零件编号STGW30NC60KD
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RMB44.665
毎管：30 个
单位
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60 A | 600 V | ±20V | - | 200 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 15.75 x 5.15 x 24.45mm |
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RS 库存编号
124-1335
制造商零件编号FGH40N60UFDTU
品牌onsemi
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RMB19.332
毎管：30 个
单位
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80 A | 600 V | ±20V | - | 290 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 15.6 x 4.7 x 20.6mm |
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RS 库存编号
495-732
制造商零件编号IRGP4063DPBF
品牌Infineon
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RMB33.66
个
单位
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96 A | 600 V | ±20V | - | - | TO-247AC | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 15.9 x 5.3 x 20.3mm |
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RS 库存编号
168-4760
制造商零件编号IXYN100N120B3H1
品牌IXYS
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RMB251.028
毎管：10 个
单位
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165 A | 1200 V | ±20V | - | 690 W | SOT-227B | - | 贴片 | N | 4 | 5 → 30kHz | 单 | 38.2 x 25 x 9.6mm |
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RS 库存编号
166-0902
制造商零件编号FF400R12KE3HOSA1
品牌Infineon
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RMB1,498.508
Each (In a Tray of 10)
单位
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580 A | 1200 V | ±20V | - | 2 kW | AG-62MM-1 | 串行 | 面板 | N | - | - | 串行 | 106.4 x 61.4 x 30.9mm |
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RS 库存编号
124-1396
制造商零件编号FGAF40N60SMD
品牌onsemi
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RMB26.115
毎管：30 个
单位
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80 A | 600 V | ±20V | - | 115 W | TO-3PF | - | 通孔 | N | 3 | 1MHz | 单 | 15.7 x 3.2 x 26.7mm |
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RS 库存编号
505-3144
制造商零件编号SKM195GB066D
品牌Semikron
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RMB720.58
个
单位
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265 A | 600 V | ±20V | - | - | SEMITRANS2 | 双半桥 | 面板 | N | 7 | - | 串行 | 94 x 34 x 30.5mm |
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RS 库存编号
168-8686
制造商零件编号STGWT60H65DFB
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RMB26.931
毎管：30 个
单位
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80 A | 650 V | ±20V | - | 375 W | TO-3P | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 15.8 x 5 x 20.1mm |
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RS 库存编号
829-4666
制造商零件编号STGWT60H65DFB
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RMB33.52
个
单位
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80 A | 650 V | ±20V | - | 375 W | TO-3P | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 15.8 x 5 x 20.1mm |
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RS 库存编号
807-0763
制造商零件编号FGAF40N60SMD
品牌onsemi
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RMB34.95
/个 (每包:2个)
单位
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80 A | 600 V | ±20V | - | 115 W | TO-3PF | - | 通孔 | N | 3 | 1MHz | 单 | 15.7 x 3.2 x 26.7mm |
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RS 库存编号
759-9273
制造商零件编号FGH40N60UFDTU
品牌onsemi
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RMB27.08
个
单位
|
80 A | 600 V | ±20V | - | 290 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 15.6 x 4.7 x 20.6mm |
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RS 库存编号
804-7606
制造商零件编号IXYN100N120B3H1
品牌IXYS
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RMB269.09
个
单位
|
165 A | 1200 V | ±20V | - | 690 W | SOT-227B | - | 贴片 | N | 4 | 5 → 30kHz | 单 | 38.2 x 25 x 9.6mm |
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RS 库存编号
808-0256
制造商零件编号IXA12IF1200HB
品牌IXYS
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RMB33.05
/个 (每包:2个)
单位
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20 A | 1200 V | ±20V | - | 85 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
124-1406
制造商零件编号HGT1S10N120BNST
品牌onsemi
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RMB17.346
个 (在毎卷：800)
单位
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80 A | 1200 V | ±20V | - | 298 W | D2PAK (TO-263) | - | 贴片 | N | 3 | 1MHz | 单 | 10.67 x 11.33 x 4.83mm |
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RS 库存编号
168-8879
制造商零件编号STGIPS20K60
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RMB142.935
毎管：11 个
单位
|
18 A | 600 V | - | - | 52 W | SDIP | 3 相 | 通孔 | N | 25 | - | - | 44.9 x 22.5 x 7.5mm |
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RS 库存编号
124-8788
制造商零件编号FP40R12KE3GBOSA1
品牌Infineon
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RMB962.138
个 (以毎盒：10)
单位
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55 A | 1200 V | ±20V | - | 210 W | Econo3 | 3 相桥接 | PCB | N | 35 | 1MHz | 3 相 | 122 x 62 x 17mm |
|
RS 库存编号
124-8789
制造商零件编号FF200R12KE3HOSA1
品牌Infineon
|
RMB967.338
个 (以毎盒：10)
单位
|
295 A | 1200 V | ±20V | - | 1050 W | 62MM 模块 | 串行 | 面板 | N | 7 | 1MHz | 串行 | 106.4 x 61.4 x 29mm |
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IGBT
IGBT是什么？
IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT与MOSFET的对比
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。
- 优点：热稳定性好、安全工作区大。
- 缺点：击穿电压低，工作电流小。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。
- 特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
IGBT的典型应用
- 电动机
- 不间断电源
- 太阳能面板安装
- 电焊机
- 电源转换器与反相器
- 电感充电器
- 电磁炉
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