IGBT
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筛选条件
| 描述 | 价格 | 最大连续集电极电流 | 最大集电极-发射极电压 | 最大栅极发射极电压 | 晶体管数 | 最大功率耗散 | 封装类型 | 配置 | 安装类型 | 通道类型 | 引脚数目 | 开关速度 | 晶体管配置 | 尺寸 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RS 库存编号
687-4973
制造商零件编号SKM200GB12E4
品牌Semikron
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RMB1,226.25
个
单位
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314 A | 1200 V | ±20V | - | - | SEMITRANS3 | 双半桥 | 面板 | N | 7 | - | 串行 | 106.4 x 61.4 x 30mm |
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RS 库存编号
838-6973
制造商零件编号FP10R12W1T4B11BOMA1
品牌Infineon
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RMB288.86
个
单位
|
20 A | 1200 V | ±20V | - | 105 W | EASY1B | 共集电极 | PCB | N | 23 | 1MHz | 3 相 | 48 x 33.8 x 12mm |
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RS 库存编号
754-5395
制造商零件编号IGW75N60TFKSA1
品牌Infineon
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RMB39.08
个
单位
|
150 A | 600 V | ±20V | - | 428 W | TO-247 | - | 通孔 | - | 3 | - | 单 | 16.13 x 21.1 x 5.21mm |
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RS 库存编号
166-2175
制造商零件编号ISL9V3040P3
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RMB17.96
毎管：50 个
单位
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21 A | 450 V | ±14V | - | 150 W | TO-220AB | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 10.67 x 4.7 x 16.3mm |
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RS 库存编号
168-8758
制造商零件编号FP50R12KT4B11BOSA1
品牌Infineon
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RMB798.98
个 (以毎盒：10)
单位
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50 A | 1200 V | ±20V | - | 160 W | ECONO2 | 3 相桥接 | PCB | N | 23 | 1MHz | 3 相 | 107.5 x 45 x 17mm |
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RS 库存编号
110-7783
制造商零件编号IKP15N60TXKSA1
品牌Infineon
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RMB12.679
/个 (每包:10个)
单位
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26 A | 600 V | ±20V | - | 130 W | TO-220 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 10.36 x 4.57 x 15.95mm |
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RS 库存编号
808-0243
制造商零件编号IXYP20N120C3
品牌IXYS
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RMB42.815
/个 (每包:2个)
单位
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40 A | 1200 V | ±20V | - | 278 W | TO-220 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 10.66 x 4.82 x 16mm |
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RS 库存编号
897-7185
制造商零件编号IKW30N60TFKSA1
品牌Infineon
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RMB29.415
/个 (每包:2个)
单位
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45 A | 600 V | ±20V | - | 187 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
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RS 库存编号
808-0265
制造商零件编号IXYH20N120C3
品牌IXYS
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RMB87.035
/个 (每包:2个)
单位
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40 A | 1200 V | ±20V | - | 278 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
468-2460
制造商零件编号SKM200GB126D
品牌Semikron
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RMB1,658.60
个
单位
|
260 A | 1200 V | ±20V | - | - | SEMITRANS3 | 双半桥 | 面板 | N | 7 | - | 串行 | 106.4 x 61.4 x 30mm |
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RS 库存编号
541-2060
制造商零件编号IRG4PF50WPBF
品牌Infineon
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RMB67.14
个
单位
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51 A | 900 V | ±20V | - | - | TO-247AC | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 15.9 x 5.3 x 20.3mm |
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RS 库存编号
165-8138
制造商零件编号IGW15T120FKSA1
品牌Infineon
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RMB21.917
毎管：30 个
单位
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30 A | 1200 V | ±20V | - | 110 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
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RS 库存编号
862-9359
制造商零件编号ISL9V3040P3
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RMB21.364
/个 (每包:5个)
单位
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21 A | 450 V | ±14V | - | 150 W | TO-220AB | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 10.67 x 4.7 x 16.3mm |
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RS 库存编号
864-8795
制造商零件编号FGA60N65SMD
品牌onsemi
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RMB36.49
个
单位
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120 A | 650 V | ±20V | - | 600 W | TO-3PN | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 15.8 x 5 x 20.1mm |
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RS 库存编号
165-6609
制造商零件编号FF900R12IE4BOSA1
品牌Infineon
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RMB3,523.66
Each (In a Tray of 3)
单位
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900 A | 1200 V | ±20V | - | 510 kW | PrimePACK2 | 串行 | 螺钉 | N | 10 | - | 串行 | 172 x 89 x 38mm |
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RS 库存编号
168-7004
制造商零件编号STGW40V60DF
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RMB21.616
毎管：30 个
单位
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40 A | 600 V | ±20V | - | 283 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 1MHz | 单 | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
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RS 库存编号
111-6091
制造商零件编号FS100R12KT4GBOSA1
品牌Infineon
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RMB1,288.15
个
单位
|
100 A | 1200 V | ±20V | - | 515 W | AG-ECONO3-4 | 3 相桥接 | 面板 | N | - | - | 3 相 | 122 x 62 x 17mm |
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RS 库存编号
168-8768
制造商零件编号FP10R12W1T4B11BOMA1
品牌Infineon
|
RMB246.924
个 (以毎盒：24)
单位
|
20 A | 1200 V | ±20V | - | 105 W | EASY1B | 共集电极 | PCB | N | 23 | 1MHz | 3 相 | 48 x 33.8 x 12mm |
|
RS 库存编号
505-3245
制造商零件编号SKM400GB176D
品牌Semikron
|
RMB4,431.21
个
单位
|
430 A | 1700 V | ±20V | - | - | SEMITRANS3 | 双半桥 | 面板 | N | 7 | - | 串行 | 106.4 x 61.4 x 30mm |
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RS 库存编号
168-8808
制造商零件编号STGW30H60DFB
|
RMB19.07
毎管：30 个
单位
|
60 A | 600 V | ±20V | - | 260 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
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IGBT
IGBT是什么？
IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT与MOSFET的对比
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。
- 优点：热稳定性好、安全工作区大。
- 缺点：击穿电压低，工作电流小。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。
- 特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
IGBT的典型应用
- 电动机
- 不间断电源
- 太阳能面板安装
- 电焊机
- 电源转换器与反相器
- 电感充电器
- 电磁炉
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