IGBT

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描述 价格 最大连续集电极电流 最大集电极-发射极电压 最大栅极发射极电压 晶体管数 最大功率耗散 封装类型 配置 安装类型 通道类型 引脚数目 开关速度 晶体管配置 尺寸
RS 库存编号 168-4692
制造商零件编号IXYN80N90C3H1
品牌IXYS
RMB269.975
毎管:10 个
单位
340 A 900 V ±20V - 500 W SOT-227B - 面板 N 4 50kHz 38.23 x 25.07 x 9.6mm
RS 库存编号 791-7630
制造商零件编号STGW30V60DF
RMB26.266
/个 (每包:5个)
单位
30 A 600 V ±20V - 258 W TO-247 - 通孔 N 3 1MHz 15.75 x 5.15 x 20.15mm
RS 库存编号 123-8830
制造商零件编号NGTB25N120FL3WG
品牌onsemi
RMB40.00
/个 (每包:2个)
单位
100 A 1200 V ±20V - 349 W TO-247 - 通孔 N 3 1MHz 16.25 x 5.3 x 21.4mm
RS 库存编号 166-0900
制造商零件编号FF450R12KE4HOSA1
品牌Infineon
RMB1,468.892
Each (In a Tray of 10)
单位
520 A 1200 V ±20V - 2.4 kW AG-62MM-1 串行 面板 N - - 串行 106.4 x 61.4 x 30.9mm
RS 库存编号 808-0212
制造商零件编号IXA27IF1200HJ
品牌IXYS
RMB112.59
单位
43 A 1200 V ±20V - 150 W ISOPLUS247 - 通孔 N 3 - 16.13 x 5.21 x 21.34mm
RS 库存编号 168-7864
制造商零件编号STGIPS10K60A
RMB148.643
毎管:11 个
单位
10 A 600 V - - 33 W SDIP - 通孔 N 25 - - 44.9 x 22.5 x 6mm
RS 库存编号 145-1977
制造商零件编号VS-GT140DA60U
品牌Vishay
RMB411.361
个 (以毎盒:10)
单位
184 A 600 V ±20V - 577 W SOT-227 面板 N 4 30kHz 38.3 x 25.7 x 12.3mm
RS 库存编号 125-8051
制造商零件编号IXXK110N65B4H1
品牌IXYS
RMB116.55
单位
570 A 650 V ±20V 1 880 W TO-264 - 通孔 N 3 10 → 30kHz 20.3 x 5.3 x 26.6mm
RS 库存编号 145-9513
制造商零件编号FF150R12YT3BOMA1
品牌Infineon
RMB525.522
Each (In a Tray of 20)
单位
200 A 1200 V ±20V - 625 W EASY2 串行 PCB N 9 1MHz 串行 55.9 x 39.6 x 17mm
RS 库存编号 145-9182
制造商零件编号IGW50N60TFKSA1
品牌Infineon
RMB24.757
毎管:30 个
单位
90 A 600 V ±20V - 333 W TO-247 - 通孔 N 3 - 16.13 x 5.21 x 21.1mm
RS 库存编号 838-6888
制造商零件编号FP40R12KE3GBOSA1
品牌Infineon
RMB976.96
单位
55 A 1200 V ±20V - 210 W ECONO3 3 相桥接 印刷电路板 N 35 1MHz 3 相 122 x 62 x 17mm
RS 库存编号 838-6961
制造商零件编号F3L75R07W2E3B11BOMA1
品牌Infineon
RMB393.17
单位
95 A 650 V ±20V - 250 W EASY2B 串行 PCB N 27 1MHz 串行 56.7 x 48 x 12mm
RS 库存编号 110-7741
制造商零件编号IGW50N60TFKSA1
品牌Infineon
RMB33.49
/个 (每包:2个)
单位
90 A 600 V ±20V - 333 W TO-247 - 通孔 N 3 - 16.13 x 5.21 x 21.1mm
RS 库存编号 168-8615
制造商零件编号STGP3HF60HD
RMB5.941
毎管:50 个
单位
7.5 A 600 V ±20V - 38 W TO-220 - 通孔 N 3 - 10.4 x 4.6 x 15.75mm
RS 库存编号 168-7722
制造商零件编号STGF6NC60HD
RMB7.114
毎管:50 个
单位
6 A 600 V ±20V - 20 W TO-220FP - 通孔 N 3 1MHz 10.4 x 4.6 x 16.4mm
RS 库存编号 687-4958
制造商零件编号SKM100GB12T4
品牌Semikron
RMB707.54
单位
160 A 1200 V ±20V - - SEMITRANS2 双半桥 面板 N 7 - 串行 94 x 34 x 30.1mm
RS 库存编号 178-1400
制造商零件编号IKW25T120FKSA1
品牌Infineon
RMB34.884
毎管:30 个
单位
50 A 1200 V ±20V - 190 W TO-247 - 通孔 N 3 - 16.13 x 5.21 x 21.1mm
RS 库存编号 124-8787
制造商零件编号FF150R12KS4HOSA1
品牌Infineon
RMB916.477
个 (以毎盒:10)
单位
225 A 1200 V ±20V - 1250 W 62MM 模块 串行 面板 N 7 1MHz 串行 106.4 x 61.4 x 29mm
RS 库存编号 168-4770
制造商零件编号IXYX100N120B3
品牌IXYS
RMB140.622
毎管:30 个
单位
225 A 1200 V ±20V - 1150 W PLUS247 - 通孔 N 3 30kHz 16.13 x 5.21 x 21.34mm
RS 库存编号 829-4379
制造商零件编号STGP3HF60HD
RMB7.276
/个 (每包:5个)
单位
7.5 A 600 V ±20V - 38 W TO-220 - 通孔 N 3 - 10.4 x 4.6 x 15.75mm

IGBT

IGBT是什么?

IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT与MOSFET的对比

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。

  • 优点:热稳定性好、安全工作区大。
  • 缺点:击穿电压低,工作电流小。

IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。

  • 特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。

IGBT的典型应用

  • 电动机
  • 不间断电源
  • 太阳能面板安装
  • 电焊机
  • 电源转换器与反相器
  • 电感充电器
  • 电磁炉

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