IGBT

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描述 价格 最大连续集电极电流 最大集电极-发射极电压 最大栅极发射极电压 晶体管数 最大功率耗散 封装类型 配置 安装类型 通道类型 引脚数目 开关速度 晶体管配置 尺寸
RS 库存编号 244-5403
制造商零件编号FS150R12KT3BOSA1
品牌Infineon
RMB1,825.692
Each (In a Tray of 10)
单位
200 A 1200 V +/-20V 6 700W - - - - - - - -
RS 库存编号 235-4841
制造商零件编号F3L400R07W3S5B59BPSA1
品牌Infineon
RMB1,065.03
单位
400 A 650 V ±20V 6 20 mW AG-EASY3B 三并行 - - - - - -
RS 库存编号 245-6990
制造商零件编号NXH80B120MNQ0SNG
品牌onsemi
RMB605.57
Each (In a Tray of 24)
单位
- - - 2 69 W Q0BOOST - 箱 180AJ (无铅和无卤化物焊接引脚) - - - - - - -
RS 库存编号 111-6098
制造商零件编号FP35R12W2T4BOMA1
品牌Infineon
RMB399.32
单位
54 A 1200 V ±20V - 215 W AG-EASY2B-1 3 相桥接 面板 N - - 3 相 56.7 x 48 x 12mm
RS 库存编号 133-8564
制造商零件编号IGW30N60TPXKSA1
品牌Infineon
RMB8.846
毎管:240 个
单位
53 A 600 V ±20V 1 200 W TO-247 - 通孔 N 3 30kHz 16.13 x 5.21 x 21.1mm
RS 库存编号 244-5389
制造商零件编号FP25R12W2T4B11BOMA1
品牌Infineon
RMB358.377
Each (In a Tray of 15)
单位
39 A 1200 V +/-20V 7 175 W - - - - - - - -
RS 库存编号 222-4798
制造商零件编号FF900R12ME7B11BOSA1
品牌Infineon
RMB2,271.76
单位
900 A 1200 V 20V - 20 毫瓦 Ag-econod - N - - 共发射极 -
RS 库存编号 253-9839
制造商零件编号FP75R12N3T7B11BPSA1
品牌Infineon
RMB1,258.11
单位
75 A 1200 V 20V - 20 mW - - - - - - - -
RS 库存编号 235-2742
制造商零件编号RGW00TS65DHRC11
品牌ROHM
RMB36.991
毎管:450 个
单位
50 A 650 V ±30V 1 254 W TO-247N 通孔 N 3 - 共发射极 -
RS 库存编号 235-2760
制造商零件编号RGW80TS65DHRC11
品牌ROHM
RMB48.77
/个 (每包:2个)
单位
40 A 650 V ±30V 1 214 W TO-247N 通孔 N 3 - 共发射极 -
RS 库存编号 215-6642
制造商零件编号IHW40N135R5XKSA1
品牌Infineon
RMB24.692
毎管:30 个
单位
80 A 1350 v ±20 V, ±25 V - 394 W PG-TO247-3 - - - 3 - - -
RS 库存编号 207-4958
制造商零件编号CM100TX-24T #300G
RMB1,867.21
单位
100 1200 V 20V 6 - 模块 3 相桥接 PCB N - - 3 相 -
RS 库存编号 260-1052
制造商零件编号IHW30N110R5XKSA1
品牌Infineon
RMB27.36
单位
30 A 1100 V 5.8V 1 - TO-247 - 贴片 - 3 - - -
RS 库存编号 260-5100
制造商零件编号IKW40N65ES5XKSA1
品牌Infineon
RMB25.017
毎管:30 个
单位
79 A 650 V ±20V - 230 W PG-TO247-3 - - - - - -
RS 库存编号 248-6699
制造商零件编号SKM200GB12F4
品牌Semikron
RMB2,159.678
个 (以毎盒:12)
单位
200 A 1200 V ±15.0V 2 - - 半桥 - - - - - -
RS 库存编号 258-0892
制造商零件编号FS35R12W1T7BOMA1
品牌Infineon
RMB314.98
单位
35 A 1200 V ±20V - - AG-EASY1B-711 - - - - - - -
RS 库存编号 210-2042
制造商零件编号STGIB15CH60TS-LZ
RMB118.82
Each (In a Tray of 13)
单位
20 A 600 V 600V - 0.08 毫瓦 SDIP2B - - - 26 - 串行 -
RS 库存编号 235-2740
制造商零件编号RGW00TS65CHRC11
品牌ROHM
RMB89.81
单位
50 A 650 V ±30V 1 254 W TO-247N 通孔 N 3 - 共发射极 -
RS 库存编号 273-7362
制造商零件编号F3L100R07W2E3B11BOMA1
品牌Infineon
RMB428.81
Each (In a Tray of 15)
单位
117 A 650 V +/-20V - 300W 模块 - 面板 - - - - -
RS 库存编号 273-2930
制造商零件编号FS50R12KT3BPSA1
品牌Infineon
RMB921.61
单位
- - - - - - - - - - - - -

IGBT

IGBT是什么?

IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT与MOSFET的对比

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。

  • 优点:热稳定性好、安全工作区大。
  • 缺点:击穿电压低,工作电流小。

IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。

  • 特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。

IGBT的典型应用

  • 电动机
  • 不间断电源
  • 太阳能面板安装
  • 电焊机
  • 电源转换器与反相器
  • 电感充电器
  • 电磁炉

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