描述 | 价格 | 最大连续集电极电流 | 最大集电极-发射极电压 | 最大栅极发射极电压 | 晶体管数 | 最大功率耗散 | 封装类型 | 配置 | 安装类型 | 通道类型 | 引脚数目 | 开关速度 | 晶体管配置 | 尺寸 | |
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RS 库存编号
244-5403
制造商零件编号FS150R12KT3BOSA1
品牌Infineon
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RMB1,825.692
Each (In a Tray of 10)
单位
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200 A | 1200 V | +/-20V | 6 | 700W | - | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
235-4841
制造商零件编号F3L400R07W3S5B59BPSA1
品牌Infineon
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RMB1,065.03
个
单位
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400 A | 650 V | ±20V | 6 | 20 mW | AG-EASY3B | 三并行 | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
245-6990
制造商零件编号NXH80B120MNQ0SNG
品牌onsemi
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RMB605.57
Each (In a Tray of 24)
单位
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- | - | - | 2 | 69 W | Q0BOOST - 箱 180AJ (无铅和无卤化物焊接引脚) | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
111-6098
制造商零件编号FP35R12W2T4BOMA1
品牌Infineon
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RMB399.32
个
单位
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54 A | 1200 V | ±20V | - | 215 W | AG-EASY2B-1 | 3 相桥接 | 面板 | N | - | - | 3 相 | 56.7 x 48 x 12mm |
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RS 库存编号
133-8564
制造商零件编号IGW30N60TPXKSA1
品牌Infineon
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RMB8.846
毎管:240 个
单位
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53 A | 600 V | ±20V | 1 | 200 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 30kHz | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
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RS 库存编号
244-5389
制造商零件编号FP25R12W2T4B11BOMA1
品牌Infineon
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RMB358.377
Each (In a Tray of 15)
单位
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39 A | 1200 V | +/-20V | 7 | 175 W | - | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
222-4798
制造商零件编号FF900R12ME7B11BOSA1
品牌Infineon
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RMB2,271.76
个
单位
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900 A | 1200 V | 20V | - | 20 毫瓦 | Ag-econod | 双 | - | N | - | - | 共发射极 | - |
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RS 库存编号
253-9839
制造商零件编号FP75R12N3T7B11BPSA1
品牌Infineon
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RMB1,258.11
个
单位
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75 A | 1200 V | 20V | - | 20 mW | - | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
235-2742
制造商零件编号RGW00TS65DHRC11
品牌ROHM
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RMB36.991
毎管:450 个
单位
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50 A | 650 V | ±30V | 1 | 254 W | TO-247N | 单 | 通孔 | N | 3 | - | 共发射极 | - |
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RS 库存编号
235-2760
制造商零件编号RGW80TS65DHRC11
品牌ROHM
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RMB48.77
/个 (每包:2个)
单位
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40 A | 650 V | ±30V | 1 | 214 W | TO-247N | 单 | 通孔 | N | 3 | - | 共发射极 | - |
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RS 库存编号
215-6642
制造商零件编号IHW40N135R5XKSA1
品牌Infineon
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RMB24.692
毎管:30 个
单位
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80 A | 1350 v | ±20 V, ±25 V | - | 394 W | PG-TO247-3 | - | - | - | 3 | - | - | - |
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RS 库存编号
207-4958
制造商零件编号CM100TX-24T #300G
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RMB1,867.21
个
单位
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100 | 1200 V | 20V | 6 | - | 模块 | 3 相桥接 | PCB | N | - | - | 3 相 | - |
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RS 库存编号
260-1052
制造商零件编号IHW30N110R5XKSA1
品牌Infineon
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RMB27.36
个
单位
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30 A | 1100 V | 5.8V | 1 | - | TO-247 | - | 贴片 | - | 3 | - | - | - |
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RS 库存编号
260-5100
制造商零件编号IKW40N65ES5XKSA1
品牌Infineon
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RMB25.017
毎管:30 个
单位
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79 A | 650 V | ±20V | - | 230 W | PG-TO247-3 | 单 | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
248-6699
制造商零件编号SKM200GB12F4
品牌Semikron
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RMB2,159.678
个 (以毎盒:12)
单位
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200 A | 1200 V | ±15.0V | 2 | - | - | 半桥 | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
258-0892
制造商零件编号FS35R12W1T7BOMA1
品牌Infineon
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RMB314.98
个
单位
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35 A | 1200 V | ±20V | - | - | AG-EASY1B-711 | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
210-2042
制造商零件编号STGIB15CH60TS-LZ
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RMB118.82
Each (In a Tray of 13)
单位
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20 A | 600 V | 600V | - | 0.08 毫瓦 | SDIP2B | - | - | - | 26 | - | 串行 | - |
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RS 库存编号
235-2740
制造商零件编号RGW00TS65CHRC11
品牌ROHM
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RMB89.81
个
单位
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50 A | 650 V | ±30V | 1 | 254 W | TO-247N | 单 | 通孔 | N | 3 | - | 共发射极 | - |
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RS 库存编号
273-7362
制造商零件编号F3L100R07W2E3B11BOMA1
品牌Infineon
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RMB428.81
Each (In a Tray of 15)
单位
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117 A | 650 V | +/-20V | - | 300W | 模块 | - | 面板 | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
273-2930
制造商零件编号FS50R12KT3BPSA1
品牌Infineon
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RMB921.61
个
单位
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IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。
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