IGBT

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描述 价格 最大连续集电极电流 最大集电极-发射极电压 最大栅极发射极电压 晶体管数 最大功率耗散 封装类型 配置 安装类型 通道类型 引脚数目 开关速度 晶体管配置 尺寸
RS 库存编号 258-1018
制造商零件编号IKW50N65ET7XKSA1
品牌Infineon
RMB25.99
单位
- 650 V ±20V - - PG-TO247-3 - - - - - - -
RS 库存编号 273-7393
制造商零件编号FP10R06W1E3BOMA1
品牌Infineon
RMB336.69
单位
16 A 600 V +/-20V - 68 W 模块 - 面板 - - - - -
RS 库存编号 236-5193
制造商零件编号FZ1600R33HE4BPSA1
品牌Infineon
RMB12,224.46
Each (In a Tray of 2)
单位
1.6 kA 3300 V - 2 3600 kW AG-IHVB130 - - - - - -
RS 库存编号 273-7365
制造商零件编号F3L150R07W2E3B11BOMA1
品牌Infineon
RMB908.81
单位
650 A 150 V +/-20V - 335 W 模块 - 面板 - - - - -
RS 库存编号 241-2276
制造商零件编号RGCL60TS60DGC13
品牌ROHM
RMB41.585
/个 (每包:2个)
单位
48 A 600 V ±30V 1 111 瓦 TO-247GE 单集电极、单发射极、单栅极 - - - - - -
RS 库存编号 235-2745
制造商零件编号RGW00TS65EHRC11
品牌ROHM
RMB59.10
/个 (每包:2个)
单位
50 A 650 V ±30V 1 254 W TO-247N 通孔 N 3 - 共发射极 -
RS 库存编号 215-6628
制造商零件编号IGB15N60TATMA1
品牌Infineon
RMB14.022
/个 (每包:5个)
单位
26 A 600 V ±20V - 130 W Pg - TO263 - 3 - - - 3 - - -
RS 库存编号 253-9823
制造商零件编号FP100R12N3T7BPSA1
品牌Infineon
RMB1,542.42
单位
100 A 1200 V 20V - 20 mW - - - - - - - -
RS 库存编号 258-0876
制造商零件编号FP40R12KT3BPSA1
品牌Infineon
RMB775.109
Each (In a Tray of 15)
单位
35 A 1200 V ±20V - 210 W AG-ECONO2C-311 - - - - - - -
RS 库存编号 225-0575
制造商零件编号IHW50N65R6XKSA1
品牌Infineon
RMB15.14
毎管:240 个
单位
83 A 650 V ±20V - 251 W PG-TO247-3 - - - 3 - - -
RS 库存编号 202-5668
制造商零件编号AFGHL40T65SQ
品牌onsemi
RMB20.667
毎管:450 个
单位
80 A 650 V ±30.0V 30 1 W TO-247 - - N 3 - -
RS 库存编号 241-2298
制造商零件编号RGTH80TS65GC13
品牌ROHM
RMB38.165
/个 (每包:2个)
单位
70 A 650 V ±30V 1 234 W TO-247GE 单集电极、单发射极、单栅极 - - - - - -
RS 库存编号 215-6654
制造商零件编号IKB40N65ES5ATMA1
品牌Infineon
RMB18.508
个 (在毎卷:1000)
单位
79 A 650 V ±20 V, ±30 V - 230 W Pg - TO263 - 3 - - - 3 - - -
RS 库存编号 273-7436
制造商零件编号IGW40N60H3FKSA1
品牌Infineon
RMB29.37
毎管:30 个
单位
80 A 600 V +/-20V 1 306 W PG-TO247-3 - 通孔 - 3 - - -
RS 库存编号 168-7074
制造商零件编号STGW20V60DF
RMB23.161
毎管:30 个
单位
40 A 600 V ±20V - 167 W TO-247 - 通孔 N 3 1MHz 15.75 x 5.15 x 20.15mm
RS 库存编号 810-3485
制造商零件编号STGB18N40LZT4
RMB15.466
Each (On a Tape of 5)
单位
30 A 420 V 16V - 150 W D2PAK (TO-263) - 贴片 N 3 1MHz 10.4 x 9.35 x 4.6mm
RS 库存编号 165-5613
制造商零件编号IGB10N60TATMA1
品牌Infineon
RMB5.20
个 (在毎卷:1000)
单位
10 A 600 V ±20V - 110 W D2PAK (TO-263) - 贴片 N 3 1MHz 10.31 x 9.45 x 4.57mm
RS 库存编号 233-2443
制造商零件编号CM600DY-13T#300G
RMB3,168.84
单位
600 A 600 V 20V 2 4.17 千瓦 94x48 毫米 - - - - 双路 -
RS 库存编号 759-9257
制造商零件编号FGAF40N60UFTU
品牌onsemi
RMB21.96
单位
40 A 600 V ±20V - 100 W TO-3PF - 通孔 N 3 - 15.5 x 5.5 x 26.5mm
RS 库存编号 232-6728
制造商零件编号IKW25N120CS7XKSA1
品牌Infineon
RMB45.01
单位
25 A 1200 V ±20V 1 250 W TO-247-3 通孔 N 3 - -

IGBT

IGBT是什么?

IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT与MOSFET的对比

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。

  • 优点:热稳定性好、安全工作区大。
  • 缺点:击穿电压低,工作电流小。

IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。

  • 特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。

IGBT的典型应用

  • 电动机
  • 不间断电源
  • 太阳能面板安装
  • 电焊机
  • 电源转换器与反相器
  • 电感充电器
  • 电磁炉

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