IGBT

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描述 价格 最大连续集电极电流 最大集电极-发射极电压 最大栅极发射极电压 晶体管数 最大功率耗散 封装类型 配置 安装类型 通道类型 引脚数目 开关速度 晶体管配置 尺寸
RS 库存编号 258-1020
制造商零件编号IKW75N60H3FKSA1
品牌Infineon
RMB52.37
单位
- - - - 428 W PG-TO247-3 - - - - - - -
RS 库存编号 253-9813
制造商零件编号FF600R12ME4WB73BPSA1
品牌Infineon
RMB2,373.038
Each (In a Tray of 6)
单位
600 A 1200 V 20V - 20 mW - - - - - - - -
RS 库存编号 273-7396
制造商零件编号FP15R06W1E3BOMA1
品牌Infineon
RMB333.352
Each (In a Tray of 24)
单位
22 A 600 V +/-20V - 81 W 模块 - 面板 - - - - -
RS 库存编号 244-5844
制造商零件编号FP75R12KT3BOSA1
品牌Infineon
RMB1,362.85
单位
105 A 1200 V ±20V 7 355 W EconoPIM - - - - - - -
RS 库存编号 226-6106
制造商零件编号IKP40N65F5XKSA1
品牌Infineon
RMB19.949
毎管:50 个
单位
74 A 650 V 30V 1 255 W PG-TO220 - N 3 - -
RS 库存编号 236-5195
制造商零件编号FZ1800R45HL4BPSA1
品牌Infineon
RMB17,631.12
单位
1.8 kA 4500 V - 3 4000 千瓦 AG-IHVB190 - - - - - -
RS 库存编号 218-4341
制造商零件编号FF600R12ME4B72BOSA1
品牌Infineon
RMB1,961.92
单位
600 A 1200 V 20V 2 20 毫瓦 Econodual - N 11 - 双路 -
RS 库存编号 274-1347
制造商零件编号VS-GT90DA120U
品牌Vishay
RMB412.94
单位
169 A 1200 V ± 20V 1 781 W SOT-227 面板 N 4 - - -
RS 库存编号 195-8770
制造商零件编号NXH100B120H3Q0STG
品牌onsemi
RMB614.668
Each (In a Tray of 24)
单位
- 1200 V ±20V - 186 W Q0BOOST 贴片 N 22 - 双路 66.2 x 32.8 x 11.9mm
RS 库存编号 212-2107
制造商零件编号STGW100H65FB2-4
RMB60.535
/个 (每包:2个)
单位
145 A 650 V ±20V 1 441 W TO247 - 4 - - N 4 - -
RS 库存编号 225-0572
制造商零件编号IHW30N65R6XKSA1
品牌Infineon
RMB19.904
/个 (每包:5个)
单位
65 A 650 V ±30V - 160 W PG-TO247-3 - - - 3 - - -
RS 库存编号 218-4332
制造商零件编号FF1800R17IP5PBPSA1
品牌Infineon
RMB8,331.827
Each (In a Tray of 3)
单位
1.8 kA 1700 V 20V 2 20 毫瓦 PRIME3 + - N 10 - 双路 -
RS 库存编号 273-5346
制造商零件编号IFS100B12N3E4B31BOSA1
品牌Infineon
RMB2,342.749
Each (In a Tray of 10)
单位
100 A 1200 V ±20V - 515 W - - 面板 - - - - -
RS 库存编号 273-7368
制造商零件编号FD200R12KE3HOSA1
品牌Infineon
RMB1,337.678
Each (In a Tray of 10)
单位
295 A 1200 V +/-20V - 1.05 kW 模块 - 面板 - - - - -
RS 库存编号 260-5093
制造商零件编号IKQ50N120CH3XKSA1
品牌Infineon
RMB58.912
毎管:30 个
单位
100 A 1200 V ±20V - 652 W PG-TO247-3-46 - - - - - -
RS 库存编号 249-6941
制造商零件编号IKW50N65RH5XKSA1
品牌Infineon
RMB63.36
单位
50 A 650 V 15V 2 305 W PG-TO247-3 - - - - - -
RS 库存编号 218-4349
制造商零件编号FP25R12W1T7B11BPSA1
品牌Infineon
RMB316.647
Each (In a Tray of 24)
单位
25 A 1200 V 20V 7 20 毫瓦 EASY1B - - N - - - -
RS 库存编号 145-9419
制造商零件编号FP35R12W2T4BOMA1
品牌Infineon
RMB388.351
Each (In a Tray of 15)
单位
54 A 1200 V ±20V - 215 W AG-EASY2B-1 3 相桥接 面板 N - - 3 相 56.7 x 48 x 12mm
RS 库存编号 204-9876
制造商零件编号STGP20H65DFB2
RMB12.106
/个 (每包:5个)
单位
40 A 650 V ±20V 1 147 W TO-220 - - - 3 - - -
RS 库存编号 245-6959
制造商零件编号NXH040F120MNF1PTG
品牌onsemi
RMB811.05
Each (In a Tray of 28)
单位
- - - 4 74 W F1-4Pack 压配引脚,带预应用热接口材料 (TIM) (无铅和无卤化物) - - - - - - -

IGBT

IGBT是什么?

IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT与MOSFET的对比

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。

  • 优点:热稳定性好、安全工作区大。
  • 缺点:击穿电压低,工作电流小。

IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。

  • 特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。

IGBT的典型应用

  • 电动机
  • 不间断电源
  • 太阳能面板安装
  • 电焊机
  • 电源转换器与反相器
  • 电感充电器
  • 电磁炉

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