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MOSFET

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显示 141 - 160 个产品，共 12067 个
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描述 价格 通道类型 最大连续漏极电流 最大漏源电压 封装类型 最大漏源电阻值 系列 安装类型 引脚数目 最大栅源电压 通道模式 最大栅阈值电压 最小栅阈值电压 最大功率耗散 晶体管配置
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 260 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, 2N7002ET
RS 库存编号 690-0127
制造商零件编号2N7002ET
品牌onsemi
RMB1.045
/个 (每包:25个)
单位
 N 260 mA 60 V SOT-23 2.5 Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 2.5V - 300 mW 单
Wolfspeed N沟道增强型MOS管, Vds=900 V, 11.5 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, C3M0280090D
RS 库存编号 162-9714
制造商零件编号C3M0280090D
品牌Wolfspeed
RMB32.969
毎管：30 个
单位
 N 11.5 A 900 V TO-247 360 mΩ - 通孔 3 -8 V、+18 V 增强 3.5V 1.8V 54 W 单
STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 45 A, HiP247, 通孔安装, 3引脚, SCT30N120
RS 库存编号 168-8966
制造商零件编号SCT30N120
品牌STMicroelectronics
RMB159.751
毎管：30 个
单位
 N 45 A 1200 V HiP247 100 mΩ - 通孔 3 -10 V, +25 V 增强 - - 270 W 单
Wolfspeed N沟道增强型MOS管, Vds=900 V, 11.5 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, C3M0280090D
RS 库存编号 915-8842
制造商零件编号C3M0280090D
品牌Wolfspeed
RMB36.51
/个 (每包:2个)
单位
 N 11.5 A 900 V TO-247 360 mΩ - 通孔 3 -8 V、+18 V 增强 3.5V 1.8V 54 W 单
STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 45 A, HiP247, 通孔安装, 3引脚, SCT30N120
RS 库存编号 907-4741
制造商零件编号SCT30N120
品牌STMicroelectronics
RMB169.29
个
单位
 N 45 A 1200 V HiP247 100 mΩ - 通孔 3 -10 V, +25 V 增强 - - 270 W 单
Toshiba N沟道增强型MOS管, Vds=900 V, 9 A, TO-3PN, 通孔安装, 3引脚, 2SK3878(F)
RS 库存编号 415-354
制造商零件编号2SK3878(F)
品牌Toshiba
RMB24.265
/个 (每包:2个)
单位
 N 9 A 900 V TO-3PN 1.3 Ω 2SK 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 4V - 150 W 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=25 V, 40 A, TSDSON, 贴片安装, 8引脚
RS 库存编号 165-5979
制造商零件编号BSZ060NE2LSATMA1
品牌Infineon
RMB2.003
个 (在毎卷：5000)
单位
 N 40 A 25 V TSDSON 8.1 mΩ OptiMOS 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 2V 1.2V 26 W 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=25 V, 40 A, TSDSON, 贴片安装, 8引脚
RS 库存编号 827-5296
制造商零件编号BSZ060NE2LSATMA1
品牌Infineon
RMB4.512
/个 (每包:25个)
单位
 N 40 A 25 V TSDSON 8.1 mΩ OptiMOS 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 2V 1.2V 26 W 单
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 37 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, FCH104N60F
RS 库存编号 124-1459
制造商零件编号FCH104N60F
品牌onsemi
RMB33.66
毎管：30 个
单位
 N 37 A 600 V TO-247 104 mΩ SuperFET II 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 - 3V 357 W 单
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 2.2 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, NTR5198NLT1G
RS 库存编号 796-1381
制造商零件编号NTR5198NLT1G
品牌onsemi
RMB1.798
/个 (每包:25个)
单位
 N 2.2 A 60 V SOT-23 155 mΩ - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 2.5V - 900 mW 单
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 7 A, TO-220F, 通孔安装, 3引脚, FQPF7N65C
RS 库存编号 671-5301
制造商零件编号FQPF7N65C
品牌onsemi
RMB10.268
/个 (每包:5个)
单位
 N 7 A 650 V TO-220F 1.4 Ω QFET 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 - 2V 52 W 单
Nexperia P沟道增强型MOS管, Vds=50 V, 180 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, BSS84AK,215
RS 库存编号 166-0053
制造商零件编号BSS84AK,215
品牌Nexperia
RMB0.199
个 (在毎卷：3000)
单位
 P 180 mA 50 V SOT-23 7.5 Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 2.1V 1.1V 420 mW 单
Nexperia P沟道增强型MOS管, Vds=50 V, 180 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, BSS84AK,215
RS 库存编号 792-0908
制造商零件编号BSS84AK,215
品牌Nexperia
RMB0.494
个 (在毎卷：100)
单位
 P 180 mA 50 V SOT-23 7.5 Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 2.1V 1.1V 420 mW 单
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 37 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, FCH104N60F
RS 库存编号 865-1280
制造商零件编号FCH104N60F
品牌onsemi
RMB43.30
/个 (每包:2个)
单位
 N 37 A 600 V TO-247 104 mΩ SuperFET II 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 - 3V 357 W 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 110 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF3205PBF
RS 库存编号 919-4763
制造商零件编号IRF3205PBF
品牌Infineon
RMB6.628
毎管：50 个
单位
 N 110 A 55 V TO-220AB 8 mΩ HEXFET 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 200 W 单
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 7 A, TO-220F, 通孔安装, 3引脚, FQPF7N65C
RS 库存编号 145-5376
制造商零件编号FQPF7N65C
品牌onsemi
RMB9.644
毎管：50 个
单位
 N 7 A 650 V TO-220F 1.4 Ω QFET 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 - 2V 52 W 单
ROHM N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 15 A, TO-220FM, 通孔安装, 3引脚, R6015ANX
RS 库存编号 826-7548
制造商零件编号R6015ANX
品牌ROHM
RMB41.66
/个 (每包:2个)
单位
 N 15 A 600 V TO-220FM 300 mΩ - 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 4.5V - 50 W 单
Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 1.75 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, SI2337DS-T1-GE3
RS 库存编号 165-7181
制造商零件编号SI2337DS-T1-GE3
品牌Vishay
RMB3.953
个 (在毎卷：3000)
单位
 P 1.75 A 80 V SOT-23 303 mΩ - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 - 2V 2.5 W 单
Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 1.75 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, SI2337DS-T1-GE3
RS 库存编号 812-3123
制造商零件编号SI2337DS-T1-GE3
品牌Vishay
RMB5.14
/个 (每包:20个)
单位
 P 1.75 A 80 V SOT-23 303 mΩ - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 - 2V 2.5 W 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 110 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF3205PBF
RS 库存编号 540-9783
制造商零件编号IRF3205PBF
品牌Infineon
RMB9.73
个
单位
 N 110 A 55 V TO-220AB 8 mΩ HEXFET 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 200 W 单

MOSFET

MOSFET是什么？

MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

MOSFET的分类

  • PMOSFET：箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET，或简称PMOS（代表此元件的通道为P型）。
  • NMOSFET：若箭头从基极指向通道，则代表基极为P型，而通道为N型，此元件为N型的MOSFET，简称NMOS。
  • 增强型MOSFET：就像一个可变电阻器，比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
  • 耗尽型MOSFET：就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压，电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。

这样，MOSFET就有了4钟类型：P沟道增强型，P沟道耗尽型，N沟道增强型，N沟道耗尽型。

MOSFET的工作原理

MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时，电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时，从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低，电阻越大。随着电压升高，从漏极到源极的电阻减小。

RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET，如Infineon、Vishay、ON Semiconductor、DiodesZetex、STMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选，从而满足不同的应用场景需求。

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