IGBT
1658
筛选条件
| 描述 | 价格 | 最大连续集电极电流 | 最大集电极-发射极电压 | 最大栅极发射极电压 | 晶体管数 | 最大功率耗散 | 封装类型 | 配置 | 安装类型 | 通道类型 | 引脚数目 | 开关速度 | 晶体管配置 | 尺寸 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RS 库存编号
226-6095
制造商零件编号IKD06N60RFATMA1
品牌Infineon
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RMB3.919
个 (在毎卷：2500)
单位
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6.5 A | 600 V | 20V | 1 | 53.6 W | PG-TO252 | 单 | - | N | 3 | - | 单 | - |
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RS 库存编号
253-9822
制造商零件编号FP100R12N3T7BPSA1
品牌Infineon
|
RMB1,555.477
Each (In a Tray of 10)
单位
|
100 A | 1200 V | 20V | - | 20 mW | - | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
273-2931
制造商零件编号FS50R12W1T7B11BOMA1
品牌Infineon
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RMB407.596
Each (In a Tray of 24)
单位
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50 A | 1200 V | ±20V | 6 | 20 mW | - | 共发射极 | 面板 | N | - | - | - | - |
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RS 库存编号
259-1527
制造商零件编号IGW50N65F5FKSA1
品牌Infineon
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RMB36.22
/个 (每包:2个)
单位
|
80 A | 650 V | ±20V | - | 305 W | PG-TO247-3 | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
192-4809
制造商零件编号STGWT20H65FB
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RMB18.445
/个 (每包:2个)
单位
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40 A | 650 V | ±20V | 1 | 168 W | TO | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 15.8 x 5 x 20.1mm |
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RS 库存编号
258-0885
制造商零件编号FP50R12N2T7BPSA2
品牌Infineon
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RMB859.04
个
单位
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50 A | 1200 V | ±20V | - | - | AG-ECONO2B-711 | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
273-2916
制造商零件编号FF200R17KE4HOSA1
品牌Infineon
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RMB1,727.133
Each (In a Tray of 10)
单位
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200 A | 1700 v | ±20V | 1 | 1250 W | 62MMHB | 共发射极 | 面板 | N | 7 | - | - | - |
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RS 库存编号
250-0226
制造商零件编号FF900R17ME7B11BPSA1
品牌Infineon
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RMB3,506.738
Each (In a Tray of 10)
单位
|
900 A | 1700 v | ±20V | 2 | 20 mW | - | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
226-6108
制造商零件编号IKQ120N60TXKSA1
品牌Infineon
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RMB74.898
毎管：30 个
单位
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160 A | 600 V | 20V | 1 | 833 瓦 | PG-TO247 | 单 | - | N | 3 | - | 单 | - |
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RS 库存编号
274-1338
制造商零件编号VS-GT55NA120UX
品牌Vishay
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RMB392.275
毎管：10 个
单位
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68 A | 1200 V | ± 20V | 1 | 291 W | SOT-227 | 单 | 面板 | N | 4 | - | - | - |
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RS 库存编号
273-5296
制造商零件编号FF300R17KE4HOSA1
品牌Infineon
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RMB1,956.78
个
单位
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300 A | 1700 V | ±20V | - | 1.8 kW | CTI | 双 | 面板 | - | 7 | - | - | - |
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RS 库存编号
468-2454
制造商零件编号SKM200GB125D
品牌Semikron
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RMB2,165.42
个
单位
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200 A | 1200 V | ±20V | - | - | SEMITRANS3 | 双半桥 | 面板 | N | 3 | - | 串行 | 106.4 x 61.4 x 30.5mm |
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RS 库存编号
795-9094
制造商零件编号STGF3NC120HD
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RMB14.912
/个 (每包:5个)
单位
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6 A | 1200 V | ±20V | - | 25 W | TO-220FP | - | 通孔 | N | 3 | 1MHz | 单 | 10.4 x 4.6 x 16.4mm |
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RS 库存编号
215-6655
制造商零件编号IKB40N65ES5ATMA1
品牌Infineon
|
RMB32.01
/个 (每包:2个)
单位
|
79 A | 650 V | ±20 V, ±30 V | - | 230 W | Pg － TO263 － 3 | - | - | - | 3 | - | - | - |
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RS 库存编号
215-6640
制造商零件编号IHW40N120R5XKSA1
品牌Infineon
|
RMB22.158
毎管：30 个
单位
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80 A | 1200 V | ±20 V, ±25 V | - | 394 W | PG-TO247-3 | - | - | - | 3 | - | - | - |
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RS 库存编号
258-0878
制造商零件编号FP50R06KE3BPSA1
品牌Infineon
|
RMB661.768
Each (In a Tray of 15)
单位
|
- | 600 V | ±20.0V | - | - | AG-ECONO2C-311 | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
235-2745
制造商零件编号RGW00TS65EHRC11
品牌ROHM
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RMB59.10
/个 (每包:2个)
单位
|
50 A | 650 V | ±30V | 1 | 254 W | TO-247N | 单 | 通孔 | N | 3 | - | 共发射极 | - |
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RS 库存编号
202-5672
制造商零件编号AFGHL50T65SQ
品牌onsemi
|
RMB17.989
毎管：450 个
单位
|
50 A | 650 V | ±30.0V | 30 | 268 W | TO-247 | - | - | N | 3 | - | 单 | - |
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RS 库存编号
258-0893
制造商零件编号FS50R12KE3BPSA1
品牌Infineon
|
RMB685.067
Each (In a Tray of 15)
单位
|
- | 1200 V | ±20V | - | 270 W | AG-ECONO2B-311 | - | - | - | - | - | - | - |
|
RS 库存编号
244-5374
制造商零件编号FP100R12KT4B11BOSA1
品牌Infineon
|
RMB1,535.585
Each (In a Tray of 10)
单位
|
100 A | 1200 V | +/-20V | 7 | 515 W | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IGBT
IGBT是什么？
IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT与MOSFET的对比
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。
- 优点：热稳定性好、安全工作区大。
- 缺点：击穿电压低，工作电流小。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。
- 特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
IGBT的典型应用
- 电动机
- 不间断电源
- 太阳能面板安装
- 电焊机
- 电源转换器与反相器
- 电感充电器
- 电磁炉
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