IGBT

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描述 价格 最大连续集电极电流 最大集电极-发射极电压 最大栅极发射极电压 晶体管数 最大功率耗散 封装类型 配置 安装类型 通道类型 引脚数目 开关速度 晶体管配置 尺寸
RS 库存编号 215-6647
制造商零件编号IKB15N65EH5ATMA1
品牌Infineon
RMB11.246
个 (在毎卷:1000)
单位
30 A 650 V ±20 V, ±30 V - 105 W Pg - TO263 - 3 - - - 3 - - -
RS 库存编号 245-6962
制造商零件编号NXH100B120H3Q0PG
品牌onsemi
RMB614.60
单位
61 A 1200 V ±20V 2 186 W 箱 180BF (无铅和无卤化物) 压配引脚 - - - - - - -
RS 库存编号 273-2973
制造商零件编号IKQ100N120CH7XKSA1
品牌Infineon
RMB104.935
毎管:30 个
单位
100 A 1200 V ±20V 1 361 W TO-247 共发射极 通孔 N 3 - - -
RS 库存编号 273-2992
制造商零件编号IKZA50N65SS5XKSA1
品牌Infineon
RMB86.55
单位
- - - - - - - - - - - - -
RS 库存编号 215-6661
制造商零件编号IKFW60N60DH3EXKSA1
品牌Infineon
RMB43.89
/个 (每包:2个)
单位
53 A 600 V ±20 V, ±30 V - 141 瓦 Pg - TO247 - 3-ai - - - 3 - 隔离式 -
RS 库存编号 244-5404
制造商零件编号FS150R12KT3BOSA1
品牌Infineon
RMB1,825.74
单位
200 A 1200 V +/-20V 6 700W - - - - - - - -
RS 库存编号 241-2282
制造商零件编号RGCL80TS60GC13
品牌ROHM
RMB21.091
毎管:600 个
单位
65 A 600 V ±30V 1 148 W TO-247GE 单集电极、单发射极、单栅极 - - - - - -
RS 库存编号 260-5064
制造商零件编号AUIRGDC0250
品牌Infineon
RMB107.056
毎管:50 个
单位
141 A 1200 V ±20V - 543 W 超级TO-220 - - - - - -
RS 库存编号 246-3951
制造商零件编号RGT60TS65DGC13
品牌ROHM
RMB68.53
单位
55 650 V ±30V 1 1.94 mW TO-247GE - - - - - -
RS 库存编号 258-0991
制造商零件编号IGW40N65H5FKSA1
品牌Infineon
RMB26.89
单位
- - - - 250 W PG-TO247-3 - - - - - - -
RS 库存编号 215-6668
制造商零件编号IKW15N120BH6XKSA1
品牌Infineon
RMB22.915
/个 (每包:2个)
单位
30 A 1200 V ±20 V, 25 V - 200 W PG-TO247-3 - - - 3 - - -
RS 库存编号 215-6655
制造商零件编号IKB40N65ES5ATMA1
品牌Infineon
RMB32.01
/个 (每包:2个)
单位
79 A 650 V ±20 V, ±30 V - 230 W Pg - TO263 - 3 - - - 3 - - -
RS 库存编号 258-0892
制造商零件编号FS35R12W1T7BOMA1
品牌Infineon
RMB314.98
单位
35 A 1200 V ±20V - - AG-EASY1B-711 - - - - - - -
RS 库存编号 258-1004
制造商零件编号IKD10N60RFATMA1
品牌Infineon
RMB7.46
/个 (每包:2个)
单位
- 600 V ±20V - - PG-TO252-3 - - - - - - -
RS 库存编号 235-2731
制造商零件编号RGSX5TS65EHRC11
品牌ROHM
RMB72.72
单位
75 A 650 V ±30V 1 404 W TO-247N 通孔 N 3 - 共发射极 -
RS 库存编号 258-0861
制造商零件编号FP25R12KT3BPSA1
品牌Infineon
RMB650.83
单位
- 1200 V ±20V - 155 W AG-ECONO2C-311 - - - - - - -
RS 库存编号 185-8642
制造商零件编号AFGB40T65SQDN
品牌onsemi
RMB35.77
/个 (每包:2个)
单位
80 A 650 V ±20V 1 238 瓦 D2PAK - 贴片 N 3 - 10.67 x 9.65 x 4.58mm
RS 库存编号 226-6058
制造商零件编号FP25R12W2T7B11BPSA1
品牌Infineon
RMB351.234
Each (In a Tray of 15)
单位
25 A 1200 V 20V 7 20 mW EasyPIM 六路 - N 23 - - -
RS 库存编号 215-6611
制造商零件编号AIGW50N65F5XKSA1
品牌Infineon
RMB51.14
/个 (每包:2个)
单位
80 A 650 V ±20 V, ±30 V - 270 W PG-TO247-3 - - - 3 - - -
RS 库存编号 273-7403
制造商零件编号FP50R12KT3BOSA1
品牌Infineon
RMB1,385.76
单位
75 A 1200 V +/-20V - 280 W 模块 - 面板 - - - - -

IGBT

IGBT是什么?

IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT与MOSFET的对比

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。

  • 优点:热稳定性好、安全工作区大。
  • 缺点:击穿电压低,工作电流小。

IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。

  • 特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。

IGBT的典型应用

  • 电动机
  • 不间断电源
  • 太阳能面板安装
  • 电焊机
  • 电源转换器与反相器
  • 电感充电器
  • 电磁炉

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