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MOSFET

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显示 1 - 20 个产品，共 1119 个
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描述 价格 通道类型 最大连续漏极电流 最大漏源电压 封装类型 最大漏源电阻值 系列 安装类型 引脚数目 最大栅源电压 通道模式 最大栅阈值电压 最小栅阈值电压 最大功率耗散 晶体管配置
DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 270 mA, E-Line, 通孔安装, 3引脚, VN10LP
RS 库存编号 922-7774
制造商零件编号VN10LP
品牌DiodesZetex
RMB2.687
个 (以毎袋：4000)
单位
 N 270 mA 60 V E-Line 5 Ω - 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 2.5V - 625 mW 单
DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 270 mA, E-Line, 通孔安装, 3引脚, VN10LP
RS 库存编号 841-277
制造商零件编号VN10LP
品牌DiodesZetex
RMB6.09
/个 (每包:5个)
单位
 N 270 mA 60 V E-Line 5 Ω - 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 2.5V - 625 mW 单
DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 700 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, ZXMP10A13FTA
RS 库存编号 669-7616
制造商零件编号ZXMP10A13FTA
品牌DiodesZetex
RMB1.615
/个 (每包:25个)
单位
 P 700 mA 100 V SOT-23 1 Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 4V - 806 mW 单
DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 700 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, ZXMP10A13FTA
RS 库存编号 922-7936
制造商零件编号ZXMP10A13FTA
品牌DiodesZetex
RMB1.593
个 (在毎卷：3000)
单位
 P 700 mA 100 V SOT-23 1 Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 4V - 806 mW 单
DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 4.2 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, DMP2305U-7
RS 库存编号 121-9547
制造商零件编号DMP2305U-7
品牌DiodesZetex
RMB0.467
个 (在毎卷：3000)
单位
 P 4.2 A 20 V SOT-23 113 mΩ - 贴片 3 -8 V、+8 V 增强 0.9V - 1.4 W 单
DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 4.2 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, DMP2305U-7
RS 库存编号 751-4256
制造商零件编号DMP2305U-7
品牌DiodesZetex
RMB0.683
/个 (每包:100个)
单位
 P 4.2 A 20 V SOT-23 113 mΩ - 贴片 3 -8 V、+8 V 增强 0.9V - 1.4 W 单
DiodesZetex N/P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, SOIC, 贴片安装, 8引脚, ZXMHC6A07N8TC
RS 库存编号 169-0719
制造商零件编号ZXMHC6A07N8TC
品牌DiodesZetex
RMB4.395
个 (在毎卷：2500)
单位
 N，P 1.4 A，1.8 A 60 V SOIC 350 mΩ - 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 3V - 1.36 W 全桥
DiodesZetex N/P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, SOIC, 贴片安装, 8引脚, ZXMHC6A07N8TC
RS 库存编号 751-5348
制造商零件编号ZXMHC6A07N8TC
品牌DiodesZetex
RMB6.044
/个 (每包:5个)
单位
 N，P 1.4 A，1.8 A 60 V SOIC 350 mΩ - 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 3V - 1.36 W 全桥
DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 320 mA, TO-92, 通孔安装, 3引脚, ZVNL110A
RS 库存编号 751-5278
制造商零件编号ZVNL110A
品牌DiodesZetex
RMB5.324
/个 (每包:10个)
单位
 N 320 mA 100 V TO-92 4.5 Ω - 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 1.5V - 700 mW 单
DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 5.9 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, ZXMP10A18KTC
RS 库存编号 751-5360
制造商零件编号ZXMP10A18KTC
品牌DiodesZetex
RMB8.92
/个 (每包:5个)
单位
 P 5.9 A 100 V DPAK (TO-252) 190 mΩ - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 4V - 10.2 W 单
DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 6.6 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, DMN6040SSD-13
RS 库存编号 823-4018
制造商零件编号DMN6040SSD-13
品牌DiodesZetex
RMB3.006
/个 (每包:20个)
单位
 N 6.6 A 60 V SOIC 55 mΩ - 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 3V - 1.7 W 隔离式
DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 6.6 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, DMN6040SSD-13
RS 库存编号 121-9628
制造商零件编号DMN6040SSD-13
品牌DiodesZetex
RMB2.328
个 (在毎卷：2500)
单位
 N 6.6 A 60 V SOIC 55 mΩ - 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 3V - 1.7 W 隔离式
DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 5.9 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, ZXMP10A18KTC
RS 库存编号 922-8507
制造商零件编号ZXMP10A18KTC
品牌DiodesZetex
RMB6.452
个 (在毎卷：2500)
单位
 P 5.9 A 100 V DPAK (TO-252) 190 mΩ - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 4V - 10.2 W 单
DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 3.3 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, DMG2305UX-7
RS 库存编号 121-9640
制造商零件编号DMG2305UX-7
品牌DiodesZetex
RMB0.431
个 (在毎卷：3000)
单位
 P 3.3 A 20 V SOT-23 200 mΩ - 贴片 3 -8 V、+8 V 增强 0.9V - 1.4 W 单
DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 3.3 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, DMG2305UX-7
RS 库存编号 827-0452
制造商零件编号DMG2305UX-7
品牌DiodesZetex
RMB0.431
/个 (每包:100个)
单位
 P 3.3 A 20 V SOT-23 200 mΩ - 贴片 3 -8 V、+8 V 增强 0.9V - 1.4 W 单
DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 3.3 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, DMG2305UX-13
RS 库存编号 122-3315
制造商零件编号DMG2305UX-13
品牌DiodesZetex
RMB0.382
个 (在毎卷：10000)
单位
 P 3.3 A 20 V SOT-23 200 mΩ - 贴片 3 +8 V 增强 0.9V - 1.4 W 单
DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 90 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, ZVP3306FTA
RS 库存编号 275-973
制造商零件编号ZVP3306FTA
品牌DiodesZetex
RMB2.986
/个 (每包:5个)
单位
 P 90 mA 60 V SOT-23 14 Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 3.5V - 330 mW 单
DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 90 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, ZVP3306FTA
RS 库存编号 922-7730
制造商零件编号ZVP3306FTA
品牌DiodesZetex
RMB1.149
个 (在毎卷：3000)
单位
 P 90 mA 60 V SOT-23 14 Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 3.5V - 330 mW 单
DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 2.9 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, DMN6140L-7
RS 库存编号 921-1120
制造商零件编号DMN6140L-7
品牌DiodesZetex
RMB1.689
/个 (每包:50个)
单位
 N 2.9 A 60 V SOT-23 170 mΩ - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 3V 1V 1.3 W 单
DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 2.9 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, DMN6140L-7
RS 库存编号 165-8440
制造商零件编号DMN6140L-7
品牌DiodesZetex
RMB0.629
个 (在毎卷：3000)
单位
 N 2.9 A 60 V SOT-23 170 mΩ - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 3V 1V 1.3 W 单

MOSFET

MOSFET是什么？

MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

MOSFET的分类

  • PMOSFET：箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET，或简称PMOS（代表此元件的通道为P型）。
  • NMOSFET：若箭头从基极指向通道，则代表基极为P型，而通道为N型，此元件为N型的MOSFET，简称NMOS。
  • 增强型MOSFET：就像一个可变电阻器，比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
  • 耗尽型MOSFET：就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压，电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。

这样，MOSFET就有了4钟类型：P沟道增强型，P沟道耗尽型，N沟道增强型，N沟道耗尽型。

MOSFET的工作原理

MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时，电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时，从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低，电阻越大。随着电压升高，从漏极到源极的电阻减小。

RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET，如Infineon、Vishay、ON Semiconductor、DiodesZetex、STMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选，从而满足不同的应用场景需求。

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