描述 | 价格 | 通道类型 | 最大连续漏极电流 | 最大漏源电压 | 封装类型 | 最大漏源电阻值 | 安装类型 | 引脚数目 | 最大栅源电压 | 通道模式 | 最大栅阈值电压 | 最小栅阈值电压 | 最大功率耗散 | 晶体管配置 | 类别 | |
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RS 库存编号
922-7774
制造商零件编号VN10LP
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RMB2.257
个 (以毎袋:4000)
单位
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N | 270 mA | 60 V | E-Line | 5 Ω | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.5V | - | 625 mW | 单 | - | |
RS 库存编号
841-277
制造商零件编号VN10LP
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RMB4.882
/个 (每包:5个)
单位
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N | 270 mA | 60 V | E-Line | 5 Ω | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.5V | - | 625 mW | 单 | - | |
RS 库存编号
922-7936
制造商零件编号ZXMP10A13FTA
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RMB1.222
个 (在毎卷:3000)
单位
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P | 700 mA | 100 V | SOT-23 | 1 Ω | 表面贴装 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 4V | - | 806 mW | 单 | - | |
RS 库存编号
669-7616
制造商零件编号ZXMP10A13FTA
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RMB3.039
/个 (每包:25个)
单位
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P | 700 mA | 100 V | SOT-23 | 1 Ω | 表面贴装 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 4V | - | 806 mW | 单 | - | |
RS 库存编号
751-5348
制造商零件编号ZXMHC6A07N8TC
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RMB6.532
/个 (每包:5个)
单位
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N,P | 1.4 A,1.8 A | 60 V | SOIC | 350 mΩ | 表面贴装 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 3V | - | 1.36 W | 全桥 | - | |
RS 库存编号
751-4256
制造商零件编号DMP2305U-7
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RMB0.781
/个 (每包:100个)
单位
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P | 4.2 A | 20 V | SOT-23 | 113 mΩ | 表面贴装 | 3 | -8 V、+8 V | 增强 | 0.9V | - | 1.4 W | 单 | - | |
RS 库存编号
121-9547
制造商零件编号DMP2305U-7
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RMB0.46
个 (在毎卷:3000)
单位
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P | 4.2 A | 20 V | SOT-23 | 113 mΩ | 表面贴装 | 3 | -8 V、+8 V | 增强 | 0.9V | - | 1.4 W | 单 | - | |
RS 库存编号
169-0719
制造商零件编号ZXMHC6A07N8TC
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RMB2.906
个 (在毎卷:2500)
单位
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N,P | 1.4 A,1.8 A | 60 V | SOIC | 350 mΩ | 表面贴装 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 3V | - | 1.36 W | 全桥 | - | |
RS 库存编号
751-5278
制造商零件编号ZVNL110A
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RMB2.932
/个 (每包:10个)
单位
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N | 320 mA | 100 V | TO-92 | 4.5 Ω | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 1.5V | - | 700 mW | 单 | - | |
RS 库存编号
922-8507
制造商零件编号ZXMP10A18KTC
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RMB3.998
个 (在毎卷:2500)
单位
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P | 5.9 A | 100 V | DPAK (TO-252) | 190 mΩ | 表面贴装 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 4V | - | 10.2 W | 单 | - | |
RS 库存编号
823-4018
制造商零件编号DMN6040SSD-13
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RMB3.019
/个 (每包:20个)
单位
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N | 6.6 A | 60 V | SOIC | 55 mΩ | 表面贴装 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 3V | - | 1.7 W | 隔离式 | - | |
RS 库存编号
121-9628
制造商零件编号DMN6040SSD-13
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RMB1.216
个 (在毎卷:2500)
单位
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N | 6.6 A | 60 V | SOIC | 55 mΩ | 表面贴装 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 3V | - | 1.7 W | 隔离式 | - | |
RS 库存编号
751-5360
制造商零件编号ZXMP10A18KTC
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RMB8.73
/个 (每包:5个)
单位
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P | 5.9 A | 100 V | DPAK (TO-252) | 190 mΩ | 表面贴装 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 4V | - | 10.2 W | 单 | - | |
RS 库存编号
121-9640
制造商零件编号DMG2305UX-7
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RMB0.38
个 (在毎卷:3000)
单位
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P | 3.3 A | 20 V | SOT-23 | 200 mΩ | 表面贴装 | 3 | -8 V、+8 V | 增强 | 0.9V | - | 1.4 W | 单 | - | |
RS 库存编号
827-0452
制造商零件编号DMG2305UX-7
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RMB0.708
/个 (每包:100个)
单位
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P | 3.3 A | 20 V | SOT-23 | 200 mΩ | 表面贴装 | 3 | -8 V、+8 V | 增强 | 0.9V | - | 1.4 W | 单 | - | |
RS 库存编号
165-8440
制造商零件编号DMN6140L-7
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RMB0.387
个 (在毎卷:3000)
单位
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N | 2.9 A | 60 V | SOT-23 | 170 mΩ | 表面贴装 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 3V | 1V | 1.3 W | 单 | - | |
RS 库存编号
921-1120
制造商零件编号DMN6140L-7
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RMB1.526
/个 (每包:50个)
单位
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N | 2.9 A | 60 V | SOT-23 | 170 mΩ | 表面贴装 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 3V | 1V | 1.3 W | 单 | - | |
RS 库存编号
122-3315
制造商零件编号DMG2305UX-13
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RMB0.32
个 (在毎卷:10000)
单位
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P | 3.3 A | 20 V | SOT-23 | 200 mΩ | 表面贴装 | 3 | +8 V | 增强 | 0.9V | - | 1.4 W | 单 | - | |
RS 库存编号
922-7730
制造商零件编号ZVP3306FTA
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RMB1.072
个 (在毎卷:3000)
单位
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P | 90 mA | 60 V | SOT-23 | 14 Ω | 表面贴装 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 3.5V | - | 330 mW | 单 | - | |
RS 库存编号
827-0522
制造商零件编号DMG2305UX-13
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RMB1.142
/个 (每包:100个)
单位
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P | 3.3 A | 20 V | SOT-23 | 200 mΩ | 表面贴装 | 3 | -8 V、+8 V | 增强 | 0.9V | - | 1.4 W | 单 | - |
MOSFET 也称为 MOSFET 晶体管,表示"金属氧化物半导体场效应晶体管"。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。"场效应"代表设备受电压控制。MOSFET 的作用是控制从源极到漏极端子的电流。它的作用与开关非常相似,可用于切换或放大电子信号。
这些半导体设备是安装在印刷电路板上的 IC(集成电路)。MOSFET 有多种标准封装类型,如 DPAK、D2PAK、DFN、I2PAK、SOIC、SOT-223 和 TO-220。
MOSFET 晶体管具有两种模式:耗尽型和增强型。
耗尽型 MOSFET 的工作原理与封闭式开关相似。当没有施加电流时,电流通过。当施加负电压时,电流停止流动。
增强型 MOSFET 类似于可变电阻器,通常比耗尽型 MOSFET 应用更广泛。它们可分为 N 沟道或 P 通道类型。
MOSFET 封装上的引脚是源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时,电流可以从漏极流至源极引脚。当施加到栅极的电压发生变化时,从漏极到源极的电阻也会发生变化。施加的电压越低,电阻越高。随着电压增大,从漏极到源极的电阻减小。
功率 MOSFET 与标准 MOSFET 类似,但适用于处理更高的功率。
MOSFET 由 P 型或 N 型掺杂硅制成。
MOSFET 可用于许多应用中,例如微处理器和其他存储器组件。MOSFET 晶体管最常用作电路中的电压控制开关。
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