MOSFET

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描述 价格 通道类型 最大连续漏极电流 最大漏源电压 封装类型 最大漏源电阻值 安装类型 引脚数目 最大栅源电压 通道模式 最大栅阈值电压 最小栅阈值电压 最大功率耗散 晶体管配置 类别
RS 库存编号 922-7774
制造商零件编号VN10LP
品牌DiodesZetex
RMB2.257
个 (以毎袋:4000)
单位
N 270 mA 60 V E-Line 5 Ω 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 2.5V - 625 mW -
RS 库存编号 841-277
制造商零件编号VN10LP
品牌DiodesZetex
RMB4.882
/个 (每包:5个)
单位
N 270 mA 60 V E-Line 5 Ω 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 2.5V - 625 mW -
RS 库存编号 922-7936
制造商零件编号ZXMP10A13FTA
品牌DiodesZetex
RMB1.222
个 (在毎卷:3000)
单位
P 700 mA 100 V SOT-23 1 Ω 表面贴装 3 -20 V、+20 V 增强 4V - 806 mW -
RS 库存编号 669-7616
制造商零件编号ZXMP10A13FTA
品牌DiodesZetex
RMB3.039
/个 (每包:25个)
单位
P 700 mA 100 V SOT-23 1 Ω 表面贴装 3 -20 V、+20 V 增强 4V - 806 mW -
RS 库存编号 751-5348
制造商零件编号ZXMHC6A07N8TC
品牌DiodesZetex
RMB6.532
/个 (每包:5个)
单位
N,P 1.4 A,1.8 A 60 V SOIC 350 mΩ 表面贴装 8 -20 V、+20 V 增强 3V - 1.36 W 全桥 -
RS 库存编号 751-4256
制造商零件编号DMP2305U-7
品牌DiodesZetex
RMB0.781
/个 (每包:100个)
单位
P 4.2 A 20 V SOT-23 113 mΩ 表面贴装 3 -8 V、+8 V 增强 0.9V - 1.4 W -
RS 库存编号 121-9547
制造商零件编号DMP2305U-7
品牌DiodesZetex
RMB0.46
个 (在毎卷:3000)
单位
P 4.2 A 20 V SOT-23 113 mΩ 表面贴装 3 -8 V、+8 V 增强 0.9V - 1.4 W -
RS 库存编号 169-0719
制造商零件编号ZXMHC6A07N8TC
品牌DiodesZetex
RMB2.906
个 (在毎卷:2500)
单位
N,P 1.4 A,1.8 A 60 V SOIC 350 mΩ 表面贴装 8 -20 V、+20 V 增强 3V - 1.36 W 全桥 -
RS 库存编号 751-5278
制造商零件编号ZVNL110A
品牌DiodesZetex
RMB2.932
/个 (每包:10个)
单位
N 320 mA 100 V TO-92 4.5 Ω 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 1.5V - 700 mW -
RS 库存编号 922-8507
制造商零件编号ZXMP10A18KTC
品牌DiodesZetex
RMB3.998
个 (在毎卷:2500)
单位
P 5.9 A 100 V DPAK (TO-252) 190 mΩ 表面贴装 3 -20 V、+20 V 增强 4V - 10.2 W -
RS 库存编号 823-4018
制造商零件编号DMN6040SSD-13
品牌DiodesZetex
RMB3.019
/个 (每包:20个)
单位
N 6.6 A 60 V SOIC 55 mΩ 表面贴装 8 -20 V、+20 V 增强 3V - 1.7 W 隔离式 -
RS 库存编号 121-9628
制造商零件编号DMN6040SSD-13
品牌DiodesZetex
RMB1.216
个 (在毎卷:2500)
单位
N 6.6 A 60 V SOIC 55 mΩ 表面贴装 8 -20 V、+20 V 增强 3V - 1.7 W 隔离式 -
RS 库存编号 751-5360
制造商零件编号ZXMP10A18KTC
品牌DiodesZetex
RMB8.73
/个 (每包:5个)
单位
P 5.9 A 100 V DPAK (TO-252) 190 mΩ 表面贴装 3 -20 V、+20 V 增强 4V - 10.2 W -
RS 库存编号 121-9640
制造商零件编号DMG2305UX-7
品牌DiodesZetex
RMB0.38
个 (在毎卷:3000)
单位
P 3.3 A 20 V SOT-23 200 mΩ 表面贴装 3 -8 V、+8 V 增强 0.9V - 1.4 W -
RS 库存编号 827-0452
制造商零件编号DMG2305UX-7
品牌DiodesZetex
RMB0.708
/个 (每包:100个)
单位
P 3.3 A 20 V SOT-23 200 mΩ 表面贴装 3 -8 V、+8 V 增强 0.9V - 1.4 W -
RS 库存编号 165-8440
制造商零件编号DMN6140L-7
品牌DiodesZetex
RMB0.387
个 (在毎卷:3000)
单位
N 2.9 A 60 V SOT-23 170 mΩ 表面贴装 3 -20 V、+20 V 增强 3V 1V 1.3 W -
RS 库存编号 921-1120
制造商零件编号DMN6140L-7
品牌DiodesZetex
RMB1.526
/个 (每包:50个)
单位
N 2.9 A 60 V SOT-23 170 mΩ 表面贴装 3 -20 V、+20 V 增强 3V 1V 1.3 W -
RS 库存编号 122-3315
制造商零件编号DMG2305UX-13
品牌DiodesZetex
RMB0.32
个 (在毎卷:10000)
单位
P 3.3 A 20 V SOT-23 200 mΩ 表面贴装 3 +8 V 增强 0.9V - 1.4 W -
RS 库存编号 922-7730
制造商零件编号ZVP3306FTA
品牌DiodesZetex
RMB1.072
个 (在毎卷:3000)
单位
P 90 mA 60 V SOT-23 14 Ω 表面贴装 3 -20 V、+20 V 增强 3.5V - 330 mW -
RS 库存编号 827-0522
制造商零件编号DMG2305UX-13
品牌DiodesZetex
RMB1.142
/个 (每包:100个)
单位
P 3.3 A 20 V SOT-23 200 mΩ 表面贴装 3 -8 V、+8 V 增强 0.9V - 1.4 W -

MOSFET

MOSFET 也称为 MOSFET 晶体管,表示"金属氧化物半导体场效应晶体管"。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。"场效应"代表设备受电压控制。MOSFET 的作用是控制从源极到漏极端子的电流。它的作用与开关非常相似,可用于切换或放大电子信号。


这些半导体设备是安装在印刷电路板上的 IC(集成电路)。MOSFET 有多种标准封装类型,如 DPAK、D2PAK、DFN、I2PAK、SOIC、SOT-223 和 TO-220。


什么是耗尽型和增强型模式?


MOSFET 晶体管具有两种模式:耗尽型和增强型。
耗尽型 MOSFET 的工作原理与封闭式开关相似。当没有施加电流时,电流通过。当施加负电压时,电流停止流动。
增强型 MOSFET 类似于可变电阻器,通常比耗尽型 MOSFET 应用更广泛。它们可分为 N 沟道或 P 通道类型。


MOSFET 是如何工作的?


MOSFET 封装上的引脚是源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时,电流可以从漏极流至源极引脚。当施加到栅极的电压发生变化时,从漏极到源极的电阻也会发生变化。施加的电压越低,电阻越高。随着电压增大,从漏极到源极的电阻减小。
功率 MOSFET 与标准 MOSFET 类似,但适用于处理更高的功率。


N 沟道对比P 沟道 MOSFET


MOSFET 由 P 型或 N 型掺杂硅制成。


  • N 沟道 MOSFET 包含可自由移动的附加电子。这种沟道类型的应用更为广泛。在栅极接线端子上施加正电荷时,N 沟道 MOSFET 发挥作用。


  • P 沟道 MOSFET 基板包含电子和电子空穴。P 沟道 MOSFET 连接到正电压。当栅极接线端子的供电电压低于源电压时,这些 MOSFET 打开。

MOSFET 有哪些用途?


MOSFET 可用于许多应用中,例如微处理器和其他存储器组件。MOSFET 晶体管最常用作电路中的电压控制开关。



是否在寻找 MOSFET 驱动器?