描述 | 价格 | 最大连续集电极电流 | 最大集电极-发射极电压 | 最大栅极发射极电压 | 晶体管数 | 最大功率耗散 | 封装类型 | 配置 | 安装类型 | 通道类型 | 引脚数目 | 开关速度 | 晶体管配置 | 尺寸 | |
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RS 库存编号
258-1018
制造商零件编号IKW50N65ET7XKSA1
品牌Infineon
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RMB25.99
个
单位
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- | 650 V | ±20V | - | - | PG-TO247-3 | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
273-7393
制造商零件编号FP10R06W1E3BOMA1
品牌Infineon
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RMB336.69
个
单位
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16 A | 600 V | +/-20V | - | 68 W | 模块 | - | 面板 | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
236-5193
制造商零件编号FZ1600R33HE4BPSA1
品牌Infineon
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RMB12,224.46
Each (In a Tray of 2)
单位
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1.6 kA | 3300 V | - | 2 | 3600 kW | AG-IHVB130 | 单 | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
273-7365
制造商零件编号F3L150R07W2E3B11BOMA1
品牌Infineon
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RMB908.81
个
单位
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650 A | 150 V | +/-20V | - | 335 W | 模块 | - | 面板 | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
241-2276
制造商零件编号RGCL60TS60DGC13
品牌ROHM
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RMB41.585
/个 (每包:2个)
单位
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48 A | 600 V | ±30V | 1 | 111 瓦 | TO-247GE | 单集电极、单发射极、单栅极 | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
235-2745
制造商零件编号RGW00TS65EHRC11
品牌ROHM
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RMB59.10
/个 (每包:2个)
单位
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50 A | 650 V | ±30V | 1 | 254 W | TO-247N | 单 | 通孔 | N | 3 | - | 共发射极 | - |
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RS 库存编号
215-6628
制造商零件编号IGB15N60TATMA1
品牌Infineon
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RMB14.022
/个 (每包:5个)
单位
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26 A | 600 V | ±20V | - | 130 W | Pg - TO263 - 3 | - | - | - | 3 | - | - | - |
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RS 库存编号
253-9823
制造商零件编号FP100R12N3T7BPSA1
品牌Infineon
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RMB1,542.42
个
单位
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100 A | 1200 V | 20V | - | 20 mW | - | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
258-0876
制造商零件编号FP40R12KT3BPSA1
品牌Infineon
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RMB775.109
Each (In a Tray of 15)
单位
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35 A | 1200 V | ±20V | - | 210 W | AG-ECONO2C-311 | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
225-0575
制造商零件编号IHW50N65R6XKSA1
品牌Infineon
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RMB15.14
毎管:240 个
单位
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83 A | 650 V | ±20V | - | 251 W | PG-TO247-3 | - | - | - | 3 | - | - | - |
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RS 库存编号
202-5668
制造商零件编号AFGHL40T65SQ
品牌onsemi
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RMB20.667
毎管:450 个
单位
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80 A | 650 V | ±30.0V | 30 | 1 W | TO-247 | - | - | N | 3 | - | 单 | - |
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RS 库存编号
241-2298
制造商零件编号RGTH80TS65GC13
品牌ROHM
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RMB38.165
/个 (每包:2个)
单位
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70 A | 650 V | ±30V | 1 | 234 W | TO-247GE | 单集电极、单发射极、单栅极 | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
215-6654
制造商零件编号IKB40N65ES5ATMA1
品牌Infineon
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RMB18.508
个 (在毎卷:1000)
单位
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79 A | 650 V | ±20 V, ±30 V | - | 230 W | Pg - TO263 - 3 | - | - | - | 3 | - | - | - |
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RS 库存编号
273-7436
制造商零件编号IGW40N60H3FKSA1
品牌Infineon
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RMB29.37
毎管:30 个
单位
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80 A | 600 V | +/-20V | 1 | 306 W | PG-TO247-3 | - | 通孔 | - | 3 | - | - | - |
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RS 库存编号
168-7074
制造商零件编号STGW20V60DF
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RMB23.161
毎管:30 个
单位
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40 A | 600 V | ±20V | - | 167 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 1MHz | 单 | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
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RS 库存编号
810-3485
制造商零件编号STGB18N40LZT4
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RMB15.466
Each (On a Tape of 5)
单位
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30 A | 420 V | 16V | - | 150 W | D2PAK (TO-263) | - | 贴片 | N | 3 | 1MHz | 单 | 10.4 x 9.35 x 4.6mm |
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RS 库存编号
165-5613
制造商零件编号IGB10N60TATMA1
品牌Infineon
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RMB5.20
个 (在毎卷:1000)
单位
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10 A | 600 V | ±20V | - | 110 W | D2PAK (TO-263) | - | 贴片 | N | 3 | 1MHz | 单 | 10.31 x 9.45 x 4.57mm |
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RS 库存编号
233-2443
制造商零件编号CM600DY-13T#300G
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RMB3,168.84
个
单位
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600 A | 600 V | 20V | 2 | 4.17 千瓦 | 94x48 毫米 | 双 | - | - | - | - | 双路 | - |
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RS 库存编号
759-9257
制造商零件编号FGAF40N60UFTU
品牌onsemi
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RMB21.96
个
单位
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40 A | 600 V | ±20V | - | 100 W | TO-3PF | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 15.5 x 5.5 x 26.5mm |
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RS 库存编号
232-6728
制造商零件编号IKW25N120CS7XKSA1
品牌Infineon
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RMB45.01
个
单位
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25 A | 1200 V | ±20V | 1 | 250 W | TO-247-3 | 单 | 通孔 | N | 3 | - | 单 | - |
IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。
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