MOSFET
12072
筛选条件
| 描述 | 价格 | 通道类型 | 最大连续漏极电流 | 最大漏源电压 | 封装类型 | 最大漏源电阻值 | 系列 | 安装类型 | 引脚数目 | 最大栅源电压 | 通道模式 | 最大栅阈值电压 | 最小栅阈值电压 | 最大功率耗散 | 晶体管配置 | |
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RS 库存编号
258-0709
制造商零件编号BSZ018N04LS6ATMA1
品牌Infineon
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RMB7.27
个 (在毎卷：5000)
单位
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N | 158 A | 40 V | PG-TSDSON-8 | - | - | 贴片 | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
266-3885
制造商零件编号SCT3040KRHRC15
品牌ROHM
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RMB120.042
毎管：450 个
单位
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N | 55 A | 1200 V | TO-247-4L | - | - | 通孔 | 4 | - | 增强 | - | - | - | - |
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RS 库存编号
192-4825
制造商零件编号STL10N60M6
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RMB11.696
/个 (每包:5个)
单位
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N | 5.5 A | 600 V | PowerFLAT 5 x 6 HV | 660 mΩ | - | 贴片 | 8 | ±25 V | 增强 | 4.75V | 3.25V | 48 W | 单 |
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RS 库存编号
273-2753
制造商零件编号IGOT60R070D1AUMA3
品牌Infineon
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RMB105.658
个 (在毎卷：800)
单位
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- | 60 A | 600 V | DSO | - | - | 贴片 | 20 | - | 增强 | - | - | - | - |
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RS 库存编号
217-2572
制造商零件编号IPP80R900P7XKSA1
品牌Infineon
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RMB8.376
/个 (每包:20个)
单位
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N | 6 A | 800 V | TO-220 | 900 mo | CoolMOS™ P7 | 通孔 | 3 | - | - | 3.5V | - | - | - |
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RS 库存编号
186-8722
制造商零件编号BS170-D26Z
品牌onsemi
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RMB2.148
/个 (每包:25个)
单位
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- | - | - | TO-92 | - | - | 通孔 | 3 | - | - | - | - | 350 mW | - |
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RS 库存编号
205-2470
制造商零件编号FCB125N65S3
品牌onsemi
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RMB28.076
/个 (每包:5个)
单位
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N | 24 A | 650 V | D2PAK （TO-263） | 125 mΩ | SUPERFET III | 贴片 | 3 | - | 增强 | 4.5V | - | - | - |
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RS 库存编号
241-9698
制造商零件编号BSZ018NE2LSIATMA1
品牌Infineon
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RMB6.148
个 (在毎卷：5000)
单位
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N | 153 A | 25 V | PQFN 3 x 3 | - | - | 贴片 | 8 | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
257-9437
制造商零件编号IRFS7530TRLPBF
品牌Infineon
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RMB16.00
个 (在毎卷：800)
单位
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N | 195 A | 60 V | D2Pak | - | - | 通孔 | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
246-6803
制造商零件编号DMN29M9UFDF-7
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RMB1.182
个 (在毎卷：3000)
单位
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N | 11 A | 20 V | U-DFN2020 | 0.024 Ω | - | 贴片 | 6 | - | 增强 | 1.2V | - | - | - |
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RS 库存编号
257-9408
制造商零件编号IRFR3806TRPBF
品牌Infineon
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RMB3.638
个 (在毎卷：2000)
单位
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N | 43 A | 60 V | D-Pak (TO-252AA) | - | - | 通孔 | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
168-8750
制造商零件编号IRLR2908TRPBF
品牌Infineon
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RMB4.315
个 (在毎卷：2000)
单位
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N | 39 A | 80 V | DPAK (TO-252) | 30 mΩ | HEXFET | 贴片 | 3 | -16 V、+16 V | 增强 | 2.5V | 1V | 120 W | 单 |
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RS 库存编号
254-7664
制造商零件编号NTBG060N065SC1
品牌onsemi
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RMB49.365
个 (在毎卷：800)
单位
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N | 46 A | 650 V | D2PAK-7L | - | - | 贴片 | - | - | - | - | - | - | - |
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新产品
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RS 库存编号
279-9984
制造商零件编号SISH107DN-T1-GE3
品牌Vishay
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RMB5.705
/个 (每包:10个)
单位
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P | 34.4 A | 30 V | 1212-8 | - | - | 贴片 | 8 | - | 增强 | - | - | - | - |
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RS 库存编号
165-8337
制造商零件编号DMN6075S-7
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RMB0.589
个 (在毎卷：3000)
单位
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N | 2.5 A | 60 V | SOT-23 | 120 mΩ | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 3V | 1V | 1.15 W | 单 |
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RS 库存编号
820-8873
制造商零件编号IRFS7534TRLPBF
品牌Infineon
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RMB18.845
/个 (每包:2个)
单位
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N | 195 A | 60 V | D2PAK (TO-263) | 2.4 mΩ | StrongIRFET | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 3.7V | 2.1V | 294 W | 单 |
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RS 库存编号
184-1282
制造商零件编号NTR3C21NZT1G
品牌onsemi
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RMB1.54
/个 (每包:100个)
单位
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N | 3.6 A | 20 V | SOT-23 | 55 mΩ | - | 贴片 | 3 | ±8 V | 增强 | 1V | 0.45V | 470 mW | 单 |
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RS 库存编号
134-9170
制造商零件编号SIHP065N60E-GE3
品牌Vishay
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RMB38.851
毎管：50 个
单位
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N | 40 A | 600 V | TO-220AB | 65 mΩ | E Series | 通孔 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | 5V | 3V | 250 W | 单 |
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RS 库存编号
162-3273
制造商零件编号IRF3710ZSTRLPBF
品牌Infineon
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RMB6.519
个 (在毎卷：800)
单位
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N | 59 A | 100 V | D2PAK （TO-263） | 18 mΩ | IRF3710ZS | 贴片 | 3 | ±20 V | 增强 | 4V | 2V | 160 W | 单 |
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RS 库存编号
182-7152
制造商零件编号DMNH6011LK3-13
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RMB10.302
/个 (每包:5个)
单位
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N | 80 A | 55 V | DPAK (TO-252) | 18 mΩ | - | 贴片 | 3 | ±12 V | 增强 | 2V | 1V | 3.2 W | 单 |
MOSFET
MOSFET是什么？
MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。
MOSFET的分类
- PMOSFET：箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET，或简称PMOS（代表此元件的通道为P型）。
- NMOSFET：若箭头从基极指向通道，则代表基极为P型，而通道为N型，此元件为N型的MOSFET，简称NMOS。
- 增强型MOSFET：就像一个可变电阻器，比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
- 耗尽型MOSFET：就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压，电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。
这样，MOSFET就有了4钟类型：P沟道增强型，P沟道耗尽型，N沟道增强型，N沟道耗尽型。
MOSFET的工作原理
MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时，电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时，从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低，电阻越大。随着电压升高，从漏极到源极的电阻减小。
RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET，如Infineon、Vishay、ON Semiconductor、DiodesZetex、STMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选，从而满足不同的应用场景需求。
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