MOSFET

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描述 价格 通道类型 最大连续漏极电流 最大漏源电压 封装类型 最大漏源电阻值 安装类型 引脚数目 最大栅源电压 通道模式 最大栅阈值电压 最小栅阈值电压 最大功率耗散 晶体管配置 类别
RS 库存编号 826-7548
制造商零件编号R6015ANX
品牌ROHM
RMB36.16
/个 (每包:2个)
单位
N 15 A 600 V TO-220FM 300 mΩ 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 4.5V - 50 W -
RS 库存编号 124-6847
制造商零件编号SCH2080KEC
品牌ROHM
RMB235.02
单位
N 40 A 1200 V TO-247 125 mΩ 通孔 3 -6 V、+22 V 增强 4V 1.6V 262 W - -
RS 库存编号 124-6784
制造商零件编号RE1C002UNTCL
品牌ROHM
RMB0.422
/个 (每包:150个)
单位
N 200 mA 20 V SOT-416FL 4.8 Ω 表面贴装 3 -8 V、+8 V 增强 1V 0.3V 150 mW - -
RS 库存编号 826-7826
制造商零件编号RZR020P01TL
品牌ROHM
RMB2.313
/个 (每包:30个)
单位
P 2 A 12 V TSMT 400 mΩ 表面贴装 3 -10 V、+10 V 增强 1V - 1 W -
RS 库存编号 826-7743
制造商零件编号RRR030P03TL
品牌ROHM
RMB2.636
/个 (每包:30个)
单位
P 3 A 30 V TSMT 125 mΩ 表面贴装 3 -20 V、+20 V 增强 2.5V - 1 W -
RS 库存编号 826-7721
制造商零件编号RCX330N25
品牌ROHM
RMB18.995
/个 (每包:4个)
单位
N 33 A 250 V TO-220FM 230 mΩ 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 5V - 40 W -
RS 库存编号 124-6855
制造商零件编号SCT2450KEC
品牌ROHM
RMB51.17
单位
N 10 A 1200 V TO-247 610 mΩ 通孔 3 -6 V、+22 V 增强 4V 1.6V 85 W - -
RS 库存编号 124-6841
制造商零件编号RUR020N02TL
品牌ROHM
RMB2.386
/个 (每包:25个)
单位
N 2 A 20 V TSMT 240 mΩ 表面贴装 3 -10 V、+10 V 增强 1V 0.3V 1 W - -
RS 库存编号 124-6895
制造商零件编号UM6K33NTN
品牌ROHM
RMB1.526
/个 (每包:40个)
单位
N 200 mA 50 V SOT-363 (SC-88) 7.2 Ω 表面贴装 6 -8 V、+8 V 增强 1V 0.3V 150 mW 双基座 -
RS 库存编号 124-6840
制造商零件编号RUM002N05T2L
品牌ROHM
RMB1.309
/个 (每包:60个)
单位
N 200 mA 50 V SOT-723 7.2 Ω 表面贴装 3 -8 V、+8 V 增强 1V 0.3V 150 mW - -
RS 库存编号 826-7793
制造商零件编号RTR030N05TL
品牌ROHM
RMB2.636
/个 (每包:20个)
单位
N 3 A 45 V TSMT 95 mΩ 表面贴装 3 -12 V、+12 V 增强 1.5V - 1 W -
RS 库存编号 826-7790
制造商零件编号RTR020N05TL
品牌ROHM
RMB4.031
/个 (每包:15个)
单位
N 2 A 45 V TSMT 250 mΩ 表面贴装 3 -12 V、+12 V 增强 1.5V - 1 W -
RS 库存编号 124-6824
制造商零件编号RSM002N06T2L
品牌ROHM
RMB1.331
/个 (每包:60个)
单位
N 250 mA 60 V SOT-723 12 Ω 表面贴装 3 -20 V、+20 V 增强 2.3V 1V 50 W - -
RS 库存编号 124-6836
制造商零件编号RU1J002YNTCL
品牌ROHM
RMB0.388
/个 (每包:100个)
单位
N 200 mA 50 V SOT-323FL 9 Ω 表面贴装 3 -8 V、+8 V 增强 0.8V 0.3V 150 mW - -
RS 库存编号 124-6783
制造商零件编号RE1C001ZPTL
品牌ROHM
RMB0.462
/个 (每包:125个)
单位
P 100 mA 20 V SOT-416FL 40 Ω 表面贴装 3 -10 V、+10 V 增强 1V 0.3V 150 mW - -
RS 库存编号 124-6575
制造商零件编号EM6M2T2R
品牌ROHM
RMB2.413
/个 (每包:40个)
单位
N,P 400 mA 20 V SOT-563 4.8 Ω 表面贴装 6 -10 V、-8 V、+10 V、+8 V 增强 1V 0.3V 150 mW 隔离式 -
RS 库存编号 124-6838
制造商零件编号RUM001L02T2CL
品牌ROHM
RMB0.554
/个 (每包:150个)
单位
N 100 mA 20 V SOT-723 18 Ω 表面贴装 3 -8 V、+8 V 增强 1V 0.3V 150 mW - -
RS 库存编号 124-6846
制造商零件编号RZM002P02T2L
品牌ROHM
RMB1.337
/个 (每包:75个)
单位
P 200 mA 20 V SOT-723 9.6 Ω 表面贴装 3 -10 V、+10 V 增强 1V 0.3V 150 mW - -
RS 库存编号 124-6574
制造商零件编号EM6K7T2R
品牌ROHM
RMB2.279
/个 (每包:40个)
单位
N 200 mA 20 V SOT-563 4.8 Ω 表面贴装 6 -8 V、+8 V 增强 1V 0.3V 150 mW 隔离式 -
RS 库存编号 124-6852
制造商零件编号SCT2120AFC
品牌ROHM
RMB88.20
单位
N 29 A 650 V TO-220AB 156 mΩ 通孔 3 -6 V、+22 V 增强 4V 1.6V 165 W - -

MOSFET

MOSFET 也称为 MOSFET 晶体管,表示"金属氧化物半导体场效应晶体管"。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。"场效应"代表设备受电压控制。MOSFET 的作用是控制从源极到漏极端子的电流。它的作用与开关非常相似,可用于切换或放大电子信号。


这些半导体设备是安装在印刷电路板上的 IC(集成电路)。MOSFET 有多种标准封装类型,如 DPAK、D2PAK、DFN、I2PAK、SOIC、SOT-223 和 TO-220。


什么是耗尽型和增强型模式?


MOSFET 晶体管具有两种模式:耗尽型和增强型。
耗尽型 MOSFET 的工作原理与封闭式开关相似。当没有施加电流时,电流通过。当施加负电压时,电流停止流动。
增强型 MOSFET 类似于可变电阻器,通常比耗尽型 MOSFET 应用更广泛。它们可分为 N 沟道或 P 通道类型。


MOSFET 是如何工作的?


MOSFET 封装上的引脚是源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时,电流可以从漏极流至源极引脚。当施加到栅极的电压发生变化时,从漏极到源极的电阻也会发生变化。施加的电压越低,电阻越高。随着电压增大,从漏极到源极的电阻减小。
功率 MOSFET 与标准 MOSFET 类似,但适用于处理更高的功率。


N 沟道对比P 沟道 MOSFET


MOSFET 由 P 型或 N 型掺杂硅制成。


  • N 沟道 MOSFET 包含可自由移动的附加电子。这种沟道类型的应用更为广泛。在栅极接线端子上施加正电荷时,N 沟道 MOSFET 发挥作用。


  • P 沟道 MOSFET 基板包含电子和电子空穴。P 沟道 MOSFET 连接到正电压。当栅极接线端子的供电电压低于源电压时,这些 MOSFET 打开。

MOSFET 有哪些用途?


MOSFET 可用于许多应用中,例如微处理器和其他存储器组件。MOSFET 晶体管最常用作电路中的电压控制开关。



是否在寻找 MOSFET 驱动器?