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MOSFET

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显示 1 - 20 个产品，共 141 个
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描述 价格 通道类型 最大连续漏极电流 最大漏源电压 封装类型 最大漏源电阻值 系列 安装类型 引脚数目 最大栅源电压 通道模式 最大栅阈值电压 最小栅阈值电压 最大功率耗散 晶体管配置
IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 50 A, SMPD, 贴片安装, 9引脚, MKE38RK600DFELB
RS 库存编号 177-5369
制造商零件编号MKE38RK600DFELB
品牌IXYS
RMB250.655
Each (In a Tray of 45)
单位
 N 50 A 600 V SMPD 45 mΩ CoolMOS 贴片 9 -20 V、+20 V 增强 3.5V - - 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=800 V, 17 A, TO-220 FP, 通孔安装, 3引脚
RS 库存编号 222-4649
制造商零件编号IPAN80R280P7XKSA1
品牌Infineon
RMB20.726
/个 (每包:5个)
单位
 N 17 A 800 V TO-220 FP 0.28. Ω CoolMOS 通孔 3 - 增强 3.5V - - -
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 50 A, TO 263, 贴片安装, 3引脚
RS 库存编号 222-4650
制造商零件编号IPB60R040C7ATMA1
品牌Infineon
RMB54.662
个 (在毎卷：1000)
单位
 N 50 A 650 V TO 263 0.0 Ω CoolMOS 贴片 3 - 增强 4V - - -
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 111 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚
RS 库存编号 222-4719
制造商零件编号IPW60R018CFD7XKSA1
品牌Infineon
RMB144.36
个
单位
 N 111 A 650 V TO-247 0.018. Ω CoolMOS 通孔 3 - 增强 4.5V - - -
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 50 A, TO 263, 贴片安装, 3引脚
RS 库存编号 222-4651
制造商零件编号IPB60R040C7ATMA1
品牌Infineon
RMB82.47
个
单位
 N 50 A 650 V TO 263 0.0 Ω CoolMOS 贴片 3 - 增强 4V - - -
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=700 V, 41 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚
RS 库存编号 219-6006
制造商零件编号IPP65R225C7XKSA1
品牌Infineon
RMB16.416
毎管：50 个
单位
 N 41 A 700 V TO-220 0.225 Ω CoolMOS 通孔 3 - 增强 4V - - -
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 19 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚
RS 库存编号 222-4701
制造商零件编号IPP60R120C7XKSA1
品牌Infineon
RMB24.686
毎管：50 个
单位
 N 19 A 650 V TO-220 0.12. Ω CoolMOS 通孔 3 - 增强 4V - - -
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 12 A, TO-252, 贴片安装, 3引脚
RS 库存编号 222-4672
制造商零件编号IPD60R280P7ATMA1
品牌Infineon
RMB5.973
个 (在毎卷：2500)
单位
 N 12 A 650 V TO-252 0.28. Ω CoolMOS 贴片 3 - 增强 4V - - -
Infineon N沟道增强型MOSFET 晶体管 + 二极管, Vds=700 V, 145 A, D2PAK （TO-263）, 贴片安装, 3引脚
RS 库存编号 220-7390
制造商零件编号IPB65R065C7ATMA2
品牌Infineon
RMB34.631
个 (在毎卷：1000)
单位
 N 145 A 700 V D2PAK （TO-263） 0.065 o CoolMOS 贴片 3 - 增强 4V - - -
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 20 A, SuperSO8 5 x 6 双, 贴片安装, 8引脚
RS 库存编号 222-4681
制造商零件编号IPG20N10S4L22ATMA1
品牌Infineon
RMB9.371
/个 (每包:10个)
单位
 N 20 A 100 V SuperSO8 5 x 6 双 0.022. Ω CoolMOS 贴片 8 - 增强 2.1V - - -
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=700 V, 41 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚
RS 库存编号 219-6007
制造商零件编号IPP65R225C7XKSA1
品牌Infineon
RMB19.426
/个 (每包:5个)
单位
 N 41 A 700 V TO-220 0.225 Ω CoolMOS 通孔 3 - 增强 4V - - -
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=800 V, 13 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚
RS 库存编号 219-6010
制造商零件编号IPP80R360P7XKSA1
品牌Infineon
RMB13.906
毎管：50 个
单位
 N 13 A 800 V TO-220 0.36. Ω CoolMOS 通孔 3 - 增强 3.5V - - -
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 31.2 A, TO 263, 贴片安装, 3引脚
RS 库存编号 222-4657
制造商零件编号IPB65R190C7ATMA2
品牌Infineon
RMB11.062
个 (在毎卷：1000)
单位
 N 31.2 A 650 V TO 263 0.11. Ω CoolMOS 贴片 3 - 增强 4.5V - - -
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 9 A, TO-220 FP, 通孔安装, 3引脚
RS 库存编号 222-4641
制造商零件编号IPA60R180C7XKSA1
品牌Infineon
RMB14.361
毎管：50 个
单位
 N 9 A 650 V TO-220 FP 0.18 Ω CoolMOS 通孔 3 - 增强 4V - - -
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=700 V, 33 A, TO-247-4, 通孔安装, 4引脚
RS 库存编号 222-4728
制造商零件编号IPZ65R065C7XKSA1
品牌Infineon
RMB52.374
毎管：30 个
单位
 N 33 A 700 V TO-247-4 0.065 Ω CoolMOS 通孔 4 - 增强 4V - - -
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 77.5 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚
RS 库存编号 222-4720
制造商零件编号IPW60R041P6FKSA1
品牌Infineon
RMB72.983
毎管：30 个
单位
 N 77.5 A 650 V TO-247 0.041. Ω CoolMOS 通孔 3 - 增强 4.5V - - -
Infineon N沟道MOS管, Vds=700 V, 22 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚
RS 库存编号 236-3663
制造商零件编号IPP65R110CFD7XKSA1
品牌Infineon
RMB19.588
毎管：500 个
单位
 N 22 A 700 V TO-220 0.11 Ω CoolMOS 通孔 3 - - 4.5V - - -
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 19 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚
RS 库存编号 222-4702
制造商零件编号IPP60R120C7XKSA1
品牌Infineon
RMB32.555
/个 (每包:2个)
单位
 N 19 A 650 V TO-220 0.12. Ω CoolMOS 通孔 3 - 增强 4V - - -
Infineon N沟道MOS管, Vds=800 V, 2 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, SPD02N80C3ATMA1
RS 库存编号 214-4479
制造商零件编号SPD02N80C3ATMA1
品牌Infineon
RMB7.159
/个 (每包:15个)
单位
 N 2 A 800 V DPAK (TO-252) 2.7. Ω CoolMOS 贴片 3 - - 3.9V - - -
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 12 A, TO-252, 贴片安装, 3引脚
RS 库存编号 222-4673
制造商零件编号IPD60R280P7ATMA1
品牌Infineon
RMB9.985
/个 (每包:10个)
单位
 N 12 A 650 V TO-252 0.28. Ω CoolMOS 贴片 3 - 增强 4V - - -

MOSFET

MOSFET是什么？

MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

MOSFET的分类

  • PMOSFET：箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET，或简称PMOS（代表此元件的通道为P型）。
  • NMOSFET：若箭头从基极指向通道，则代表基极为P型，而通道为N型，此元件为N型的MOSFET，简称NMOS。
  • 增强型MOSFET：就像一个可变电阻器，比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
  • 耗尽型MOSFET：就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压，电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。

这样，MOSFET就有了4钟类型：P沟道增强型，P沟道耗尽型，N沟道增强型，N沟道耗尽型。

MOSFET的工作原理

MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时，电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时，从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低，电阻越大。随着电压升高，从漏极到源极的电阻减小。

RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET，如Infineon、Vishay、ON Semiconductor、DiodesZetex、STMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选，从而满足不同的应用场景需求。

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